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MJE340-ONS

Transistor NPN MJE340-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126 ( TO-225 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. Equivalences: KSE340. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L, VID.. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...

0.87€

Quantité en stock: 45

MJE340-ST

Transistor NPN MJE340-ST, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier plastique. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 3V...

0.83€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 103

MJF18008

Transistor NPN MJF18008, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 80pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: (F). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

2.60€

Quantité en stock: 28

MJF18204

Transistor NPN MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 156pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 35W. FT: 13 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 18. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 50. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.83V. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 10V...

2.30€

Quantité en stock: 16

MJL21194

Transistor NPN MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Courant de collecteur: 16A. Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 6pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Vebo: 5V...

8.20€

+1 rapidement
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MJW3281AG

Transistor NPN MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 2.8pF. Date de production: 201444 201513. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 25A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW1302A. Technologie: transistor bipolaire de puissance. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V...

4.99€

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MMBT2222ALT1

Transistor NPN MMBT2222ALT1, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. C (out): 5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 250 MHz. Fonction: UNI. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: 1 P. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V...

0.0452€

Quantité en stock: 844

MMBT2907ALT1G

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 225mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1.2A. Marquage sur le boîtier: 2F. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD '2F'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.0293€

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MMBT3904LT1G

Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. C (out): 1.6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: UNI. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage du fabricant: 1AM. Marquage sur le boîtier: 1AM. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1AM. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V...

0.0394€

+3624 rapidement
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MMBT4401LT1G

Transistor NPN MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 80pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 0.9A. Marquage sur le boîtier: 2x. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 2X. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.0346€

Quantité en stock: 999

MMBT5401

Transistor NPN MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. C (out): 6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Equivalences: MMBT5401LT1G. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 50. Marquage du fabricant: 2L. Marquage sur le boîtier: 2 L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS (2Lx Date Code). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 150V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

0.0517€

+22148 rapidement
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MMSS8050-H

Transistor NPN MMSS8050-H, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 9pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: Y1. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: -. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 6V...

0.10€

Quantité en stock: 1411

MPSA06

Transistor NPN MPSA06, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 300pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100MHz. Fonction: -. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 10. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 4 v...

0.0932€

Quantité en stock: 925

MPSA42

Transistor NPN MPSA42, TO-92, 4.87k Ohms, 0.5A, TO-92 (ammo pak), 300V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 4.87k Ohms. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Bande passante MHz: 50MHz. C (out): 3pF. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. Courant maximum 1: 0.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Equivalences: KSP42. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 25. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MPSA42. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA92. Série: MPSA. Tension (collecteur - émetteur): 4.87k Ohms. Tension base / collecteur VCBO: 4.87k Ohms. Tension de saturation VCE(sat): 500mV. Type de conditionnement: -. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 300V. Vebo: 6V...

0.0985€

+1050 rapidement
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Quantité en stock: 309

MPSA44

Transistor NPN MPSA44, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Courant de collecteur: 0.3A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Equivalences: KSP44, CMPSA44. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 750mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Vebo: 6V...

0.11€

Quantité en stock: 105

MPSW42

Transistor NPN MPSW42, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 25...40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Type de transistor: NPN...

0.38€

Quantité en stock: 125

MPSW45A

Transistor NPN MPSW45A, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 100 MHz. Fonction: High hFE. Gain hFE maxi: 150000. Gain hFE mini: 25000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vcbo: 60V. Vebo: 12V...

1.73€

Quantité en stock: 36

NJW3281

Transistor NPN NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Date de production: 201452 201512. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

7.56€

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Quantité en stock: 25

PBSS4041NX

Transistor NPN PBSS4041NX, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 6.2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 130 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: 6F. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) PBSS4041PX. Spec info: sérigraphie/code CMS 6F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 35mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 320mV. Tf (type): 220 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

1.25€

Quantité en stock: 92

PMBT4401

Transistor NPN PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 250 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.8A. Marquage sur le boîtier: p2X, t2X, W2X. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS P2X, T2X, W2X, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.0793€

Quantité en stock: 51

PN100

Transistor NPN PN100, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. C (out): 19pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: Amplificateur à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 80...450. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V...

0.17€

Quantité en stock: 123

PN2222A

Transistor NPN PN2222A, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 75pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 300 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0786€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 125

RN1409

Transistor NPN RN1409, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Fonction: DTR.. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS XJ. Type de transistor: NPN...

2.18€

Quantité en stock: 1

S2055N-TOS

Transistor NPN S2055N-TOS, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 9pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

3.20€

Quantité en stock: 19

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