Rechercher "transistor j107"

Nous vous proposons une sélection de 1000+ produits pouvant correspondre à votre recherche de "transistor j107" (Transistors bipolaires NPN)

SAP15N

SAP15N

Transistor NPN SAP15N, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 5000...20000. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

18.51€
Quantité en stock: 2
SAP15NY

SAP15NY

Transistor NPN SAP15NY, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 5000...20000. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

23.04€
Quantité en stock: 2
SMBTA42

SMBTA42

Transistor NPN SMBTA42, SOT-23 ( TO-236 ), 4.87k Ohms, 0.5A, SOT-23, 300V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 4.87k Ohms. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Bande passante MHz: 50MHz. C (in): 11pF. C (out): 1.5pF. Courant maximum 1: 0.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. FT: 50 MHz. Fonction: amplificateur haute tension, version CMS du MPSA42. Gain hFE maxi: -. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 25. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: s1D. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: NPN. Puissance: 0.36W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) SMBTA92. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS S1D. Série: SMBTA. Tension base / collecteur VCBO: 4.87k Ohms. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 300V. Vebo: 5V...

0.0749€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 2071
Minimum: 10
SS8050CTA

SS8050CTA

Transistor NPN SS8050CTA, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (Ammo-Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 9pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 100 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: S8050 C. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: -. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 6V...

0.30€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 228
SS9013F

SS9013F

Transistor NPN SS9013F, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 28pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 96. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: excellente linéarité hFE. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.17€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 25
ST13005A

ST13005A

Transistor NPN ST13005A, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: 13005A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.03€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 47
ST13007A

ST13007A

Transistor NPN ST13007A, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 16. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 13007A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

2.17€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 16
ST13009

ST13009

Transistor NPN ST13009, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: hFE 15...28. Marquage sur le boîtier: ST13009L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 50. Spec info: ST13009L. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V...

1.75€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 40
STN83003

STN83003

Transistor NPN STN83003, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Fonction: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: N83003. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) STN93003. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 1000...

0.54€
Quantité en stock: 141