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BC547B

Transistor NPN BC547B, TO-92, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 300MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. C (out): 6pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC547B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC557B. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar-Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 6V...

0.0442€

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BC550CG

Transistor NPN BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (Ammo Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Equivalences: BC550CG, BC550CBU. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage du fabricant: BC550C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC817-40

Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 10pF. Conditionnement d'origine: 3000. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. 500mA. Courant maximum 1: 0.8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE min.: 250. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Information: -. Marquage sur le boîtier: 6C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 225mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6C. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de conditionnement: bobine. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC846B

Transistor NPN BC846B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 0.1A, TO-236AB, 65V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-236AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Bande passante MHz: 100MHz. C (in): 11pF. C (out): 2pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Courant maximum 1: 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Information: -. Marquage sur le boîtier: 1B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1B. Série: BC. Tension (collecteur - émetteur): 65V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

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BC847B

Transistor NPN BC847B, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.1A, SOT-23, 50V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Bande passante MHz: 100MHz. Conditionnement d'origine: 3000. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Courant maximum 1: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE min.: 200. Information: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1F. Série: BC. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Type de conditionnement: bobine. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance...

0.0417€

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BC848B

Transistor NPN BC848B, SOT-23 ( TO-236 ), 30V, 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Bande passante MHz: 100MHz. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Courant maximum 1: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE min.: 200. Gain hfe: 290. Information: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1K. Série: BC. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension base / collecteur VCBO: 30V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance...

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BCX56-16

Transistor NPN BCX56-16, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), 80V, 1A, 1A, SOT-89, 80V. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 100MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: 1A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. FT: 130 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1.5A. Information: -. Marquage du fabricant: BL. Marquage sur le boîtier: BL. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BL. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-16. Série: BCX. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.29€

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BD135

Transistor NPN BD135, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, TO-126, 45V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Fréquence: 50MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Type de transistor: NPN...

0.30€

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BD139

Transistor NPN BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BD139. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 80V...

0.44€

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BD139-16

Transistor NPN BD139-16, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Courant maximum 1: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 100. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 40...250. Ic(puls): 3A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD139-16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Série: BD. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 80V...

0.34€

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BD237

Transistor NPN BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 3MHz. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Courant maximum 1: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD237. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238. Série: BD. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

0.47€

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BD239C

Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 2A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Marquage du fabricant: BD239C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD240C. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 115V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.58€

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BD241C

Transistor NPN BD241C, TO-220, 100V, 5A, 3A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Bande passante MHz: 3MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Courant maximum 1: 3A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD241C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Série: BD. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 115V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 115V. Vebo: 5V...

0.69€

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BD437

Transistor NPN BD437, TO-126 (TO-225, SOT-32), 45V, 4A, TO-126, 45V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 4A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 7A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD438. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.42€

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BD441

Transistor NPN BD441, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 4A, SOT-32, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-32. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 3MHz. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 4A. Courant maximum 1: 4A. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE min.: 15. Gain hFE mini: 20. Gain hfe: 15...40. Ic(puls): 7A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Série: BD. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Transistor Darlington?: non. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 80V...

0.63€

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BD679A

Transistor NPN BD679A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4A, 4A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. FT: 10 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 6A. Marquage du fabricant: BD679A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD680A. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 2.8V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

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