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MUN2212

MUN2212

Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 338mW. FT: kHz. Fonction: transistor avec réseau de résistance de polarisation. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: 8B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: B1GBCFLL0035. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 8B. Technologie: Transistors numériques (BRT). Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

0.44€
Quantité en stock: 2893
NJW3281

NJW3281

Transistor NPN NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Date de production: 201452 201512. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

7.56€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 25
NTE130

NTE130

Transistor NPN NTE130, 15A, 60V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

5.36€
Quantité en stock: 28
ON4998

ON4998

Transistor NPN ON4998, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 34W. Fonction: Conçu pour Grundig. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.11€
Quantité en stock: 236
P2N2222AG

P2N2222AG

Transistor NPN P2N2222AG, TO-92, 600mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: P2N2222A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

0.36€
Quantité en stock: 97
PBSS4041NX

PBSS4041NX

Transistor NPN PBSS4041NX, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 6.2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 130 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: 6F. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) PBSS4041PX. Spec info: sérigraphie/code CMS 6F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 35mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 320mV. Tf (type): 220 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

1.25€
Quantité en stock: 92
PDTC144ET

PDTC144ET

Transistor NPN PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: *08. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS P08/T08. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V...

0.0840€
Quantité en stock: 79
Minimum: 10
PH2369

PH2369

Transistor NPN PH2369, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Transistor de commutation NPN. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 130.41594. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V...

0.20€
Quantité en stock: 807
PMBT2369

PMBT2369

Transistor NPN PMBT2369, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 500 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS P1J, T1J. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V...

0.0497€
+2730 rapidement
Quantité en stock: 2820
Minimum: 10
PMBT4401

PMBT4401

Transistor NPN PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 250 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.8A. Marquage sur le boîtier: p2X, t2X, W2X. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS P2X, T2X, W2X, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.0793€
Quantité en stock: 51
Minimum: 10
PN100

PN100

Transistor NPN PN100, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. C (out): 19pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: Amplificateur à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 80...450. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V...

0.17€
Quantité en stock: 123
PN100A

PN100A

Transistor NPN PN100A, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: Amplificateur à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 240...600. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V...

0.18€
Quantité en stock: 111
PN2222A

PN2222A

Transistor NPN PN2222A, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 75pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 300 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0786€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 125
Minimum: 10
PUMD2-R-P-R

PUMD2-R-P-R

Transistor NPN PUMD2-R-P-R, SOT-363, 100mA. Boîtier: SOT-363. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Marquage du fabricant: D*2. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

0.81€
Quantité en stock: 5
RN1409

RN1409

Transistor NPN RN1409, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Fonction: DTR.. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS XJ. Type de transistor: NPN...

2.18€
Quantité en stock: 1
S2000N

S2000N

Transistor NPN S2000N, ITO-218, 8A. Boîtier: ITO-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Marquage du fabricant: S2000N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV...

3.55€
Quantité en stock: 292
S2055N-TOS

S2055N-TOS

Transistor NPN S2055N-TOS, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 9pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

3.20€
Quantité en stock: 19