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STN83003

STN83003

Transistor NPN STN83003, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Fonction: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: N83003. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) STN93003. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 1000...

0.54€
Quantité en stock: 141
STN851

STN851

Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 215pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. FT: 130 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN basse tension à commutation rapide. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.32V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 1000. Vcbo: 150V. Vebo: 7V...

0.58€
Quantité en stock: 967
STX13003

STX13003

Transistor NPN STX13003, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Fonction: HIGH SWITCH. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: haute vitesse. Type de transistor: NPN...

1.12€
Quantité en stock: 7
THD218DHI

THD218DHI

Transistor NPN THD218DHI, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Fonction: Commutation rapide haute tension. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: -. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.23€
Quantité en stock: 226
TIP102G

TIP102G

Transistor NPN TIP102G, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: commutation, amplificateur audio. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP107. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V...

1.27€
Quantité en stock: 81
TIP110

TIP110

Transistor NPN TIP110, 2A, 60V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: -. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 4A. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: >1000. RoHS: oui. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Température: +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.85€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 25
TIP120

TIP120

Transistor NPN TIP120, TO-220AB, 5A. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: TIP120. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V...

0.88€
Quantité en stock: 1005
TIP142T

TIP142T

Transistor NPN TIP142T, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Résistance B: -. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147T. Technologie: Darlington monolithique. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

2.31€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 44
TIP3055

TIP3055

Transistor NPN TIP3055, 100V, TO-247, 15A, 15A, TO-247, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 15A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 90W. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: TIP2955. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) TIP2955. RoHS: oui. Spec info: Faible tension de saturation collecteur-émetteur. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 70V. Vebo: 7V...

1.31€
+723 rapidement
Quantité en stock: 297
TIP31C

TIP31C

Transistor NPN TIP31C, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 24. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP32C. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.60€
Quantité en stock: 99
TIP35CG

TIP35CG

Transistor NPN TIP35CG, 100V, TO-247, 25A, 25A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur: 25A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Fréquence maxi: 3MHz. Marquage du fabricant: TIP35CG. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 125W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Type de transistor: transistor de puissance NPN...

5.91€
Quantité en stock: 172
TIP41C

TIP41C

Transistor NPN TIP41C, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 80pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP42C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.72€
Quantité en stock: 166
TIP50

TIP50

Transistor NPN TIP50, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 10 MHz. Fonction: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V...

0.73€
Quantité en stock: 29
TT2062

TT2062

Transistor NPN TT2062, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 18A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 85W. FT: kHz. Fonction: haute vitesse.. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 35A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

4.56€
Quantité en stock: 2
TT2140

TT2140

Transistor NPN TT2140, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 110pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Vbe(sat)1.5V. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: avec résistance de polarisation Rbe. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V...

2.44€
Quantité en stock: 32
TT2140LS

TT2140LS

Transistor NPN TT2140LS, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 110pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: avec résistance de polarisation Rbe. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

6.38€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1
TT2190LS

TT2190LS

Transistor NPN TT2190LS, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 80pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.40€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 26