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KSD882-Y

KSD882-Y

Transistor NPN KSD882-Y, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 500pF. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 90 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SD882-Y. Type de transistor: NPN...

0.32€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 43
KSE13009F

KSE13009F

Transistor NPN KSE13009F, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 180pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 4 MHz. Fonction: 'High Voltage Switch Mode'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.86€
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Quantité en stock: 4
KSP2222A

KSP2222A

Transistor NPN KSP2222A, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 600mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0856€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 199
Minimum: 10
KSR1002

KSR1002

Transistor NPN KSR1002, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Fonction: SW. Marquage sur le boîtier: R1002. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

0.85€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 4
KSR1003

KSR1003

Transistor NPN KSR1003, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 100pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 250 MHz. Fonction: SW. Marquage sur le boîtier: R1003. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 22k Ohms. Résistance BE: 22k Ohms. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V...

0.83€
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Quantité en stock: 18
KSR1007

KSR1007

Transistor NPN KSR1007, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Fonction: SW. Marquage sur le boîtier: R1007. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

0.54€
Quantité en stock: 39
KTC9018

KTC9018

Transistor NPN KTC9018, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 20mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 3.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 800 MHz. Fonction: FM-V/M/O. Gain hFE maxi: 198. Gain hFE mini: 40. Marquage sur le boîtier: 15.8k Ohms. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

0.53€
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Quantité en stock: 178
KUY12

KUY12

Transistor NPN KUY12, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 0.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 70W. FT: 11 MHz. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 210V...

3.98€
Quantité en stock: 1
MD1802FX

MD1802FX

Transistor NPN MD1802FX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 1pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 57W. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: -. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

2.75€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 98
MD1803DFX

MD1803DFX

Transistor NPN MD1803DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 0.55pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 57W. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 7.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: -. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 10V...

2.16€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 81
MD2001FX

MD2001FX

Transistor NPN MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 58W. FT: kHz. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4.5. Ic(puls): 18A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 9V...

4.64€
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Quantité en stock: 17
MD2009DFX

MD2009DFX

Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 58W. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 18. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 7V...

2.04€
Quantité en stock: 117
MD2310FX

MD2310FX

Transistor NPN MD2310FX, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 1.6pF. Date de production: 2014/17. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 62W. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 21A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

2.97€
Quantité en stock: 59
MJ10005

MJ10005

Transistor NPN MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 2.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 175W. FT: kHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tf(max): 0.6us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 650V. Vebo: 8V...

5.56€
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MJ10015

MJ10015

Transistor NPN MJ10015, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Courant de collecteur: 50A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: hFE 25. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

23.00€
Quantité en stock: 9
MJ10021

MJ10021

Transistor NPN MJ10021, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Courant de collecteur: 60A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: hFE 75...1000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

22.43€
Quantité en stock: 3
MJ11016

MJ11016

Transistor NPN MJ11016, TO3, 120V. Boîtier: TO3. Tension collecteur-émetteur VCEO: 120V. Bande passante MHz: 4MHz. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 30A. Courant maximum 1: 30A. Gain hFE min.: 200. Information: -. MSL: -. Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 200W. RoHS: oui. Série: MJ11016. Tension (collecteur - émetteur): 120V. Tension base / collecteur VCBO: 120V. Type de montage: Montage sur châssis. Type de transistor: transistor Darlington. Type: transistor Darlington...

14.21€
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