Recherche de produit: transistor j107 - RPtronics. Page 35 sur 42

KSC2073-2

Transistor NPN KSC2073-2, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 4 MHz. Fonction: Sortie de déviation verticale TV. Gain hFE maxi: 125. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA940. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

2.17€

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KSC2073TU

Transistor NPN KSC2073TU, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 4 MHz. Fonction: Sortie de déviation verticale TV. Gain hFE maxi: 125. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA940. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

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KSC2310-O

Transistor NPN KSC2310-O, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 3.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: C2310 O. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Vebo: 5V...

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KSC2310-Y

Transistor NPN KSC2310-Y, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 3.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C2310 Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Vebo: 5V...

0.73€

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KSC2328A-Y

Transistor NPN KSC2328A-Y, 2A, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 120 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 10. Résistance BE: 10. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Type de transistor: NPN...

1.36€

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KSC2330-O

Transistor NPN KSC2330-O, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 50 MHz. Fonction: 0501-000367. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 10. Résistance BE: 10. Spec info: hauteur 9mm. Type de transistor: NPN...

0.75€

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KSC2331-Y

Transistor NPN KSC2331-Y, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 120...240. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

1.13€

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KSC5027-O

Transistor NPN KSC5027-O, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 60pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 10A. Marquage sur le boîtier: KSC5027 (O). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: 0...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 1100V...

2.30€

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KSC5027F-R

Transistor NPN KSC5027F-R, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 60pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: 0...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Vebo: 7V...

3.84€

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KSC5042M

Transistor NPN KSC5042M, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 900V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 4W. Fonction: Dyn Focus. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 10. Spec info: HV switch. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

7.69€

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KSC5088

Transistor NPN KSC5088, 8A, 800V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: 'Hi-res'. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: MONITOR. Résistance BE: 10. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

26.92€

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KSC5386TU

Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-3PF (SOT399). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: kHz. Fonction: High Switching 0.1us. Gain hFE maxi: 22. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 10. Spec info: VEBO 6V. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 4.2V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

8.70€

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KSC5802

Transistor NPN KSC5802, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 80pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: CRT-HA (F). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Monitor 68KHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.86€

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KSC5802D

Transistor NPN KSC5802D, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 90pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: CRT-HA (F). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.96€

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KSC5803

Transistor NPN KSC5803, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: CRT-HA (F). Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: C5803. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

8.78€

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KSC838-O

Transistor NPN KSC838-O, 0.03A, 35V. Courant de collecteur: 0.03A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 250 MHz. Fonction: FM-V/M/O/IF. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 12149301860. Type de transistor: NPN...

0.20€

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KSC838-Y

Transistor NPN KSC838-Y, 0.03A, 35V. Courant de collecteur: 0.03A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 250 MHz. Fonction: FM-V/M/O/IF. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 62137301900. Type de transistor: NPN...

0.20€

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KSC900L

Transistor NPN KSC900L, 0.05A, 30 v. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 350...700. Spec info: 0501-000394. Type de transistor: NPN...

0.31€

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KSC945-G

Transistor NPN KSC945-G, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Brochage: 1. C (in): 1.5pF. C (out): 11pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA733. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.33€

Quantité en stock: 77

KSC945-Y

Transistor NPN KSC945-Y, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Brochage: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA733. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.32€

Quantité en stock: 119

KSD2012GTU

Transistor NPN KSD2012GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Ic(puls): -. Marquage sur le boîtier: D2012-G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSB1366. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V...

1.65€

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KSD5072

Transistor NPN KSD5072, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 20pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: 3 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Rbe 50 Ohms. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

1.83€

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Quantité en stock: 47

KSD5703

Transistor NPN KSD5703, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 500pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 0.1...0.3us. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

3.34€

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KSD73-Y

Transistor NPN KSD73-Y, 5A, 100V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 500pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 20 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 12149-401-070. Type de transistor: NPN...

1.16€