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MJ11016

MJ11016

Transistor NPN MJ11016, TO3, 120V. Boîtier: TO3. Tension collecteur-émetteur VCEO: 120V. Bande passante MHz: 4MHz. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 30A. Courant maximum 1: 30A. Gain hFE min.: 200. Information: -. MSL: -. Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 200W. RoHS: oui. Série: MJ11016. Tension (collecteur - émetteur): 120V. Tension base / collecteur VCBO: 120V. Type de montage: Montage sur châssis. Type de transistor: transistor Darlington. Type: transistor Darlington...

14.21€
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Quantité en stock: 10
MJ11032

MJ11032

Transistor NPN MJ11032, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Courant de collecteur: 50A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 100A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11033. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V...

16.15€
Quantité en stock: 15
MJ11032G

MJ11032G

Transistor NPN MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur VCEO: 120V. Courant de collecteur: 50A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50A. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 30MHz. Marquage du fabricant: MJ11032G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 300W. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Type: transistor Darlington...

29.52€
Quantité en stock: 6
MJ15015

MJ15015

Transistor NPN MJ15015, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 180W. FT: 0.8 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 70. Spec info: Motorola. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V...

3.71€
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MJ15015-ONS

MJ15015-ONS

Transistor NPN MJ15015-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 180W. FT: 0.8 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 10. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 70. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15016. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Vebo: 7V...

14.69€
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MJ15022

MJ15022

Transistor NPN MJ15022, TO-3 ( TO-204 ), 16A, TO-3, 200V. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Courant de collecteur: 16A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Dissipation de puissance maxi: 250W. FT: 4 MHz. Fonction: -. Fréquence: 4MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 250W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Tension (collecteur - émetteur): 200V. Type de conditionnement: -. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V...

3.80€
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MJ15022-ONS

MJ15022-ONS

Transistor NPN MJ15022-ONS, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 250W. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Vebo: 5V...

13.21€
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MJ15024-ONS

MJ15024-ONS

Transistor NPN MJ15024-ONS, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15025. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Vebo: 5V...

15.38€
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MJ15024G

MJ15024G

Transistor NPN MJ15024G, TO-3, 16A, 250V, 16A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur: 16A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Bande passante MHz: 4MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Fréquence maxi: 4MHz. Gain hFE min.: 5. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJ15024G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 250W. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension base / collecteur VCBO: 400V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Type de montage: Montage sur châssis. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Type: Puissance...

21.02€
Quantité en stock: 87
MJ21194G

MJ21194G

Transistor NPN MJ21194G, TO-3, 16A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Marquage du fabricant: MJ21194G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V...

20.72€
Quantité en stock: 35
MJ21196

MJ21196

Transistor NPN MJ21196, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 2pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. FT: 4 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21195. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V...

13.90€
Quantité en stock: 29
MJ802

MJ802

Transistor NPN MJ802, TO-3 ( TO-204 ), 30A, TO-3, 100V. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Courant de collecteur: 30A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 30A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 2 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Polarité: bipolaire. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 90V. Type de conditionnement: -. Type de transistor: NPN...

14.00€
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MJ802G

MJ802G

Transistor NPN MJ802G, TO-3, 30A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Marquage du fabricant: MJ802G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V...

17.58€
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MJD44H11G

MJD44H11G

Transistor NPN MJD44H11G, D-PAK, 8A. Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Marquage du fabricant: J44H11. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

1.54€
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MJD44H11RLG

MJD44H11RLG

Transistor NPN MJD44H11RLG, D-PAK, 8A. Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Marquage du fabricant: J44H11. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

1.47€
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MJE13007

MJE13007

Transistor NPN MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 80pF. Courant de collecteur Ic [A]: 8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 80W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.72€
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MJE13007-CDIL

MJE13007-CDIL

Transistor NPN MJE13007-CDIL, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

0.93€
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MJE13007G

MJE13007G

Transistor NPN MJE13007G, 400V, TO-220AB, 8A, 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur: 8A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Fréquence maxi: 14 MHz. Marquage du fabricant: MJE13007G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 80W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Type de transistor: Transistor de puissance...

2.95€
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MJE13009G

MJE13009G

Transistor NPN MJE13009G, TO-220, 12A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Marquage du fabricant: MJE13009G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V...

3.13€
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MJE15030

MJE15030

Transistor NPN MJE15030, TO-220, 8A, TO-220, 150V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

1.53€
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