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BUY71

Transistor NPN BUY71, 2A, 800V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 10W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 2200V...

BUY72

Transistor NPN BUY72, 10A, 200V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 280V...

CDL13007

Transistor NPN CDL13007, 400V, 8A, TO-220AB (MJE13007). Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220AB (MJE13007). Fréquence maxi: 4MHz. Polarité: NPN. Puissance: 80W. Type de transistor: Transistor de puissance...

D44H11

Transistor NPN D44H11, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 130pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. Equivalences: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. FT: 50 MHz. Fonction: -. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: D44H11. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H11. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

D44H11G

Transistor NPN D44H11G, TO-220, 10A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: D44H11G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

D44H8

Transistor NPN D44H8, TO-220, 10A, 10A, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. C (out): 90pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: D44H8. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H8. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN...

D44H8G

Transistor NPN D44H8G, TO-220, 10A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: D44H8G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V...

D44VH10

Transistor NPN D44VH10, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 83W. FT: 50 MHz. Fonction: S-L, Low-sat. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45VH10. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Tf(max): 90 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

D882

Transistor NPN D882, TO126, SOT32. Boîtier: TO126, SOT32. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Fréquence: 90MHz. Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 12.5W. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Type de transistor: NPN...

DTC114EK

Transistor NPN DTC114EK, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. FT: 250 MHz. Fonction: DTR.. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 24. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Puissance: 0.2W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 10k Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS 24. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

DTC143TT

Transistor NPN DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: *33, P33, t33, w33. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 33. RoHS: oui. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: -. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

DTC143ZT

Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Date de production: 2014/49. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: kHz. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 18. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V...

DTC144EK

Transistor NPN DTC144EK, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.03A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Marquage sur le boîtier: 26. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 47k Ohms. Résistance BE: 47k Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS 26. Type de transistor: NPN...

DTC144WSA

Transistor NPN DTC144WSA, 0.1A, SC-72. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-72. Fréquence maxi: 250MHz. Polarité: NPN. Puissance: 0.3W. Résistance BE: 47k+22k Ohms. Type de transistor: transistor NPN...

ESM3030DV

ESM6045DVPBF

Transistor NPN ESM6045DVPBF, ISOTOP, 84A. Boîtier: ISOTOP. Courant de collecteur Ic [A], max.: 84A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: Vissé. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: ESM6045DV. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V...

FJAF6810

Transistor NPN FJAF6810, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphié J6810. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

FJAF6810A

Transistor NPN FJAF6810A, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: commutation rapide. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Vebo: 6V...

FJAF6810D

Transistor NPN FJAF6810D, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Conditionnement: tube en plastique. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: kHz. Fonction: 'High V Color Display Hor Defl (with Damper Diode)'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810D. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphié J6810D. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

FJAF6812

Transistor NPN FJAF6812, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Conditionnement: tube en plastique. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J6812. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphié J6812. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

FJL4315-O

Transistor NPN FJL4315-O, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: J4315O. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) FJL4215-O. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

FJL6820

Transistor NPN FJL6820, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Moniteur 19 pouces. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: VEBO 6V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

FJL6920

Transistor NPN FJL6920, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 25. Vcbo: 1700V. Vebo: 6V...

FJN3302R

Transistor NPN FJN3302R, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. FT: 250 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 300mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V...