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BUT11APX

Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SOT186A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 32W. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor de puissance. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUT11AX-PHI

Transistor NPN BUT11AX-PHI, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Tf 170ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUT12AF

Transistor NPN BUT12AF, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 23W. FT: 10 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUT18A-PHI

Transistor NPN BUT18A-PHI, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 110W. FT: 10 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUT18AF

Transistor NPN BUT18AF, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 33W. FT: 10 MHz. Fonction: haute tension, haute vitesse. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

BUT18AF-PHI

Transistor NPN BUT18AF-PHI, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 33W. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUT56A

Transistor NPN BUT56A, TO-220, 8A, TO-220, 450V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUT93D

Transistor NPN BUT93D, 4A, 350V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 55W. FT: 9 MHz. Fonction: S-L, SN. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V...

BUV26

Transistor NPN BUV26, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 CASE 221A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 190V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 85W. Fonction: Conçu pour les applications à grande vitesse. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 150 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 7V...

BUV27

Transistor NPN BUV27, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 240V. Vebo: 7V...

BUV27A

Transistor NPN BUV27A, 15A, 150V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 85W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...

BUV48A

BUW11

Transistor NPN BUW11, 5A, 400V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V...

BUW11A

Transistor NPN BUW11A, 5A, TO-3PN, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: haute tension, commutation rapide. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

BUW11F

Transistor NPN BUW11F, 5A, 400V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V...

BUW12A

Transistor NPN BUW12A, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

BUW12F

Transistor NPN BUW12F, 10A, 400V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V...

BUW13A

Transistor NPN BUW13A, 15A, TO-3PN, 400V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 175W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: -. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUX48A

Transistor NPN BUX48A, TO-3, 15A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 175W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BUX48A. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 175W. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension (collecteur - émetteur): 450V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Type de transistor: NPN...

BUX55

Transistor NPN BUX55, 2A, 400V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 8 MHz. Fonction: S. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V...

BUX85

Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 4 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: S-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BUX85G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 1kV. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUX87

Transistor NPN BUX87, 1000V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 0.5A, TO-126, 450V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Applications: commutation. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 20 MHz. Fonction: S-L. Fréquence maxi: 20MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUX87P

Transistor NPN BUX87P, TO-126, 500mA. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): SOT-82. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BUX87P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V...

BUY18S

Transistor NPN BUY18S, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 25 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Température: +200°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...