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BU433

Transistor NPN BU433, 6A, 375V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 375V. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: S-L TV-SN. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V...

BU4507AX

Transistor NPN BU4507AX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Fonction: CTV-HA/Monitor. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU4508AF

Transistor NPN BU4508AF, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: CTV-HA/Monitor. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU4508AX

Transistor NPN BU4508AX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: CTV-HA/Monitor. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU4508DF

Transistor NPN BU4508DF, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: CTV-HA/Monitor. Gain hFE maxi: 7.3. Gain hFE mini: 4.2. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Rbe 25 Ohms. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V...

BU4525AX

Transistor NPN BU4525AX, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 55W. Fonction: CTV/Monitor. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'CTV-HA' (isolé). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU4530AL

Transistor NPN BU4530AL, 16A, SOT-430, SOT-430, 800V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: SOT-430. Boîtier (selon fiche technique): SOT-430. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: CTV/Monitor. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: CTV-HA. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU500D

Transistor NPN BU500D, 6A, 700V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: CTV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU505

Transistor NPN BU505, 2.5A, 700V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU505D

Transistor NPN BU505D, 2.5A, 700V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU506D

Transistor NPN BU506D, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: TV-HA SMPS. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Spec info: TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU506DF

Transistor NPN BU506DF, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: SMPS (F). Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220F (SOT186). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU508AF

Transistor NPN BU508AF, ITO-218, 8A. Boîtier: ITO-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-199. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 34W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BU508AF. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V...

BU508AFI

Transistor NPN BU508AFI, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 34W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU508DF-INC

Transistor NPN BU508DF-INC, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 34W. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU508DFI

Transistor NPN BU508DFI, ISOWATT-218, 8A. Boîtier: ISOWATT-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 7 MHz. Marquage du fabricant: BU508DFI. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V...

BU536

Transistor NPN BU536, 8A, 480V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 480V. Dissipation de puissance maxi: 62W. Fonction: TV-SN. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V...

BU607

Transistor NPN BU607, TO-3, 7A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/200V...

BU607D

Transistor NPN BU607D, TO-3, 7A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/ 200V...

BU808DFH

Transistor NPN BU808DFH, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220FH. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V...

BU808DFX

BU808DFX-PMC

Transistor NPN BU808DFX-PMC, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 62W. Fonction: hFE 60...230, boîtier plastique isolé. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Résistance BE: 260 Ohms. Spec info: temps de descente 0.8us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V...

BU941ZP

Transistor NPN BU941ZP, TO-247, 15A. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 155W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BU941ZP. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 350V...

BU941ZPFI

Transistor NPN BU941ZPFI, 15A, 400V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: >300. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V...