Rechercher "connecteur-alimentation-dc"

Nous vous proposons une sélection de 1000+ produits pouvant correspondre à votre recherche de "connecteur-alimentation-dc" (Transistors bipolaires NPN)

BUL45

BUL45

Transistor NPN BUL45, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 12 MHz. Fonction: SMPS S-L. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 14. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.31€
Dernières pièces disponibles
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1
BUL45D2G

BUL45D2G

Transistor NPN BUL45D2G, TO-220, 5A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Marquage du fabricant: BUL45D2G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V...

2.36€
Quantité en stock: 127
BUL45GD2G

BUL45GD2G

Transistor NPN BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 13 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN bipolaire à gain élevé et à grande vitesse. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 22. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 12V...

2.26€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 49
BUL6802

BUL6802

Transistor NPN BUL6802, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: kHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 5. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Vebo: 9V...

0.64€
Quantité en stock: 3
BUT11A

BUT11A

Transistor NPN BUT11A, TO-220, 450V, 5A, TO-220, 450V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Applications: commutation. Courant maximum 1: 5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 83W. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 10A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 100W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Série: BUT11. Température: +150°C. Tension base / collecteur VCBO: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Switching. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

1.64€
+10 rapidement
Dernières pièces disponibles
Equivalence disponible
Quantité en stock: 31
BUT11AF

BUT11AF

Transistor NPN BUT11AF, TO-220FP, 850V, 5A, TO-220F, 450V. Boîtier: TO-220FP. Tension collecteur-émetteur VCEO: 850V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Applications: commutation. Courant de collecteur Ic [A]: 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 20W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 1kV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

0.94€
+3335 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 23
BUT11AF-F

BUT11AF-F

Transistor NPN BUT11AF-F, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

2.61€
Dernières pièces disponibles
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1
BUT11APX

BUT11APX

Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SOT186A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 32W. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor de puissance. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

2.02€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 43
BUT11AX-PHI

BUT11AX-PHI

Transistor NPN BUT11AX-PHI, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Tf 170ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

2.18€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 62
BUT12AF

BUT12AF

Transistor NPN BUT12AF, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 23W. FT: 10 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

3.83€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 18
BUT18AF

BUT18AF

Transistor NPN BUT18AF, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 33W. FT: 10 MHz. Fonction: haute tension, haute vitesse. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

0.97€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 31
BUT18AF-PHI

BUT18AF-PHI

Transistor NPN BUT18AF-PHI, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 33W. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

3.83€
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible
BUT56A

BUT56A

Transistor NPN BUT56A, TO-220, 8A, TO-220, 450V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

2.12€
+2 rapidement
Quantité en stock: 10
BUV26

BUV26

Transistor NPN BUV26, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 CASE 221A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 190V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 85W. Fonction: Conçu pour les applications à grande vitesse. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 150 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 7V...

1.88€
Quantité en stock: 43
BUV27

BUV27

Transistor NPN BUV27, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 240V. Vebo: 7V...

1.76€
Quantité en stock: 71
BUW11A

BUW11A

Transistor NPN BUW11A, 5A, TO-3PN, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: haute tension, commutation rapide. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

2.38€
Quantité en stock: 5
BUW12A

BUW12A

Transistor NPN BUW12A, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

4.80€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 49