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BF457

Transistor NPN BF457, 0.1A, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 90 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.32€

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Quantité en stock: 69

BF460

Transistor NPN BF460, 0.5A, 250V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

3.64€

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BF461

Transistor NPN BF461, 0.5A, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

4.84€

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BF487

Transistor NPN BF487, 0.05A, 400V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. FT: 70 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-93. Type de transistor: NPN...

0.34€

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Quantité en stock: 1816

BF622-DA

Transistor NPN BF622-DA, SOT-89, 50mA. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Marquage du fabricant: DA. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V...

0.38€

Quantité en stock: 918

BF758

Transistor NPN BF758, 0.5A, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 45 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.69€

Quantité en stock: 15

BF763

Transistor NPN BF763, 25mA, 15V. Courant de collecteur: 25mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Fonction: UHF-V M/O. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

1.24€

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Quantité en stock: 13

BF820

Transistor NPN BF820, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 1V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 1V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...

0.30€

Quantité en stock: 22

BF883S

Transistor NPN BF883S, 50mA, 275V. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 275V. Dissipation de puissance maxi: 7W. FT: 90MHz. Id(imp): 300mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V...

0.25€

Quantité en stock: 493

BF959

Transistor NPN BF959, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 700 MHz. Fonction: VHF TV-IF. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 35. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 3V...

1.19€

Quantité en stock: 7

BFG135

Transistor NPN BFG135, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 7GHz. Fonction: Transistor large bande VHF/UHF-A 7 GHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 80. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2V...

2.21€

Quantité en stock: 278

BFG591

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 2W. FT: 7GHz. Fonction: Pour amplificateur d'antenne VHF/UHF et applications de communication RF. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 3V...

3.06€

Quantité en stock: 103

BFG67

Transistor NPN BFG67, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: V3%. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS V3. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

0.68€

Quantité en stock: 95

BFG67X

Transistor NPN BFG67X, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: %MW. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS MW. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

1.03€

Quantité en stock: 64

BFG71

Transistor NPN BFG71, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 1.8W. FT: 60 MHz. Fonction: VID-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...

0.99€

Quantité en stock: 81

BFP193E6327

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Courant de collecteur: 80mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. C (in): 0.9pF. C (out): 0.28pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 580mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: RCs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS RCs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2V...

0.40€

Quantité en stock: 65

BFQ232

Transistor NPN BFQ232, 0.3A, 100V. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: 'Hi-res'. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Tc.=115°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BFQ252. Type de transistor: NPN...

1.83€

Quantité en stock: 9

BFQ34

Transistor NPN BFQ34, 0.15A, 25V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Fonction: UHF-A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

22.30€

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BFQ43S

Transistor NPN BFQ43S, 1.25A, 36V. Courant de collecteur: 1.25A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 36V. Dissipation de puissance maxi: 4W. FT: 175 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

14.06€

Quantité en stock: 7

BFR106

Transistor NPN BFR106, SOT-23, 210mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 210mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Marquage du fabricant: R7s. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V...

0.72€

Quantité en stock: 41

BFR92

Transistor NPN BFR92, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Courant de collecteur: 0.045A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (in): 0.64pF. C (out): 0.23pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.28W. FT: 5GHz. Fonction: Transistor large bande 5GHz (UHF-A). Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V. Vebo: 2.5V...

0.26€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 110

BFR92A

Transistor NPN BFR92A, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. C (in): 1.2pF. C (out): 0.6pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 5GHz. Fonction: Transistor large bande 5GHz (UHF-A). Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 65. Marquage sur le boîtier: P2p. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS P2P. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 20V. Vebo: 2V...

0.22€

Quantité en stock: 748

BFR92PE6327

Transistor NPN BFR92PE6327, SOT-23, 45mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 45mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.28W. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Marquage du fabricant: GFs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V...

0.29€

Quantité en stock: 5925

BFR93A

Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Courant de collecteur: 35mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 6GHz. Fonction: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 40. Marquage sur le boîtier: R2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SMD R2. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 15V. Vebo: 2V...

0.24€

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