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BCP68T1G

BCP68T1G

Transistor NPN BCP68T1G, SOT-223, 1A. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V...

1.00€
Quantité en stock: 2810
BCR523

BCR523

Transistor NPN BCR523, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: XGs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

0.62€
Quantité en stock: 30147
BCR533

BCR533

Transistor NPN BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: XCs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 10k Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS XCs. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 1V...

0.0652€
+2817 rapidement
Quantité en stock: 2092
Minimum: 10
BCV29

BCV29

Transistor NPN BCV29, SOT-89, 500mA. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Marquage du fabricant: EF. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

0.17€
Quantité en stock: 149
BCW60RC-ZC

BCW60RC-ZC

Transistor NPN BCW60RC-ZC, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BCW60RC. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0533€
Quantité en stock: 895
Minimum: 10
BCX19LT1G-U1

BCX19LT1G-U1

Transistor NPN BCX19LT1G-U1, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: U1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.16€
Quantité en stock: 5766
BCX41E6327

BCX41E6327

Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: transistor NPN. Applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: EKs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX42. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 125V. Vebo: 5V...

0.19€
Quantité en stock: 226
BCX54-16

BCX54-16

Transistor NPN BCX54-16, SOT-89, 1A. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Marquage du fabricant: BD. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.33€
Quantité en stock: 3720
BCX55-16

BCX55-16

Transistor NPN BCX55-16, SOT-89, 1A. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Marquage du fabricant: bM. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V...

0.29€
Quantité en stock: 1108
BCX56

BCX56

Transistor NPN BCX56, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: BH. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS BH. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 1000. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.24€
Quantité en stock: 1351
BCX56-10

BCX56-10

Transistor NPN BCX56-10, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: BK. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BK. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-10. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.30€
Quantité en stock: 903
BCX70K-215

BCX70K-215

Transistor NPN BCX70K-215, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 250 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: AK*. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.0334€
Quantité en stock: 2797
Minimum: 10
BCY59

BCY59

Transistor NPN BCY59, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.34W. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 0.75V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V...

0.61€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 70
BCY59-9

BCY59-9

Transistor NPN BCY59-9, TO-18, 200mA. Boîtier: TO-18. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-206AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: BCY59-9. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.53€
Quantité en stock: 140
BD135-16

BD135-16

Transistor NPN BD135-16, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: Amplificateurs et applications audio. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.25€
Quantité en stock: 139
BD139-10

BD139-10

Transistor NPN BD139-10, TO-126, 1.5A. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD139-10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.59€
Quantité en stock: 2709
BD139-16-CDIL

BD139-16-CDIL

Transistor NPN BD139-16-CDIL, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.23€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 369