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BC846B

Transistor NPN BC846B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 0.1A, TO-236AB, 65V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-236AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Bande passante MHz: 100MHz. C (in): 11pF. C (out): 2pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Courant maximum 1: 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Information: -. Marquage sur le boîtier: 1B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1B. Série: BC. Tension (collecteur - émetteur): 65V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

BC846B-1B

Transistor NPN BC846B-1B, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

BC846BLT1G-1B

Transistor NPN BC846BLT1G-1B, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

BC846BPBF-1B

Transistor NPN BC846BPBF-1B, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

BC846BW-1B

Transistor NPN BC846BW-1B, SC-70, 100mA. Boîtier: SC-70. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

BC846C

Transistor NPN BC846C, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage sur le boîtier: 8AC. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 8AC. Tension de saturation VCE(sat): 250mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 600mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

BC847A

Transistor NPN BC847A, SOT-23 ( TO-236 ), 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 1.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 1E. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1E. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

BC847B

Transistor NPN BC847B, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.1A, SOT-23, 50V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Bande passante MHz: 100MHz. Conditionnement d'origine: 3000. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Courant maximum 1: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE min.: 200. Information: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1F. Série: BC. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Type de conditionnement: bobine. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance...

BC847B-1F

Transistor NPN BC847B-1F, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1F. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC847B-215

Transistor NPN BC847B-215, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC847BLT1G-1F

Transistor NPN BC847BLT1G-1F, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1F. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC847BPN

BC847BPN-P

Transistor NPN BC847BPN-P, SC-88, 100mA. Boîtier: SC-88. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): SOT-363. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.22W. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: 13. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC847BS

Transistor NPN BC847BS, SC88, SOT363. Boîtier: SC88, SOT363. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Fréquence: 100MHz. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 200mW. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Type de transistor: NPN x2...

BC847C

Transistor NPN BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 4.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.225W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 250. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 200mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1G. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V...

BC847C-1G

Transistor NPN BC847C-1G, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC848B

Transistor NPN BC848B, SOT-23 ( TO-236 ), 30V, 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Bande passante MHz: 100MHz. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Courant maximum 1: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE min.: 200. Gain hfe: 290. Information: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1K. Série: BC. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension base / collecteur VCBO: 30V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance...

BC848B-1F

Transistor NPN BC848B-1F, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

BC848C-1G

Transistor NPN BC848C-1G, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

BC848C-7-F

Transistor NPN BC848C-7-F, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

BC848CE6327-1L

Transistor NPN BC848CE6327-1L, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Marquage du fabricant: 1Ls. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

BC848CLT1G-1L

Transistor NPN BC848CLT1G-1L, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1L. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

BC849C

Transistor NPN BC849C, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Gain hfe: 520. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Type de transistor: NPN...

BC850B

Transistor NPN BC850B, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA, 0.1A. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 225mW. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Type de transistor: NPN...