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BC549C

Transistor NPN BC549C, TO-92, 0.1A, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 100 MHz. Fréquence: 300MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Type de transistor: NPN...

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BC549CG

Transistor NPN BC549CG, TO-92, 100mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Marquage du fabricant: BC549C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

0.12€

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BC550B

Transistor NPN BC550B, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 2.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560B. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0806€

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BC550C

Transistor NPN BC550C, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC550CG

Transistor NPN BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (Ammo Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Equivalences: BC550CG, BC550CBU. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage du fabricant: BC550C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC635

Transistor NPN BC635, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 130 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

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BC637

Transistor NPN BC637, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 130 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

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BC639

Transistor NPN BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 130 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Fréquence: 200MHz. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 40. Gain hfe: 40...250. Marquage du fabricant: BC639. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.8/2.75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

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BC639-16

Transistor NPN BC639-16, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

0.22€

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BC639-16-CDIL

Transistor NPN BC639-16-CDIL, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.18€

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BC639-16D27Z

Transistor NPN BC639-16D27Z, TO-92, 1A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC639-16. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.44€

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BC639-16D74Z

Transistor NPN BC639-16D74Z, TO-92, 1A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC639-16. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.41€

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BC63916_D74Z

Transistor NPN BC63916_D74Z, 100V, 1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Fréquence maxi: 100MHz. Polarité: NPN. Puissance: 0.8W. Type de transistor: transistor NPN...

0.66€

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BC817-16

Transistor NPN BC817-16, SOT-23 ( TO-236 ), 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6As. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6As. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC817-16-NXP

Transistor NPN BC817-16-NXP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6A. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC817-25

Transistor NPN BC817-25, SOT-23 ( TO-236 ), 0.5A, SOT-23-3, 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 3pF. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Fréquence: 200MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6B. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC817-25-6B

Transistor NPN BC817-25-6B, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0711€

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BC817-25LT1G-6B

Transistor NPN BC817-25LT1G-6B, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0947€

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BC817-40

Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 10pF. Conditionnement d'origine: 3000. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. 500mA. Courant maximum 1: 0.8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE min.: 250. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Information: -. Marquage sur le boîtier: 6C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 225mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6C. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de conditionnement: bobine. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC817-40-6C

Transistor NPN BC817-40-6C, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

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BC817-40-NXP

Transistor NPN BC817-40-NXP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC817-40LT1G-6C

Transistor NPN BC817-40LT1G-6C, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

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BC818-40-6G

Transistor NPN BC818-40-6G, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

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BC818-40LT1G-6G

Transistor NPN BC818-40LT1G-6G, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V...

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