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2N3442-PMC

2N3442-PMC

Transistor NPN 2N3442-PMC, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 117W. FT: 0.8 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: NPN...

2.39€
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2N3771

2N3771

Transistor NPN 2N3771, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 40V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 0.2 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

6.02€
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2N3773

2N3773

Transistor NPN 2N3773, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 0.2 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V...

2.68€
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2N3773-ONS

2N3773-ONS

Transistor NPN 2N3773-ONS, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 0.2 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 7V...

11.28€
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2N3773G

2N3773G

Transistor NPN 2N3773G, TO-3, 16A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: 2N3773G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 140V...

10.65€
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2N3904BU

2N3904BU

Transistor NPN 2N3904BU, 40V, TO-92, 0.2A, 200mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.2A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence maxi: 300MHz. Marquage du fabricant: 2N3904. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 0.625W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Type de transistor: transistor NPN...

0.27€
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2N4401

2N4401

Transistor NPN 2N4401, TO-92, 0.6A, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 6.5pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 0.9A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

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2N5088

2N5088

Transistor NPN 2N5088, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (in): 10pF. C (out): 4pF. Courant de collecteur Ic [A]: 50mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 625W. FT: 50 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 900. Gain hFE mini: 300. Gain hfe: 300...900. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V...

0.21€
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2N5109

2N5109

Transistor NPN 2N5109, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Courant de collecteur: 0.4A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 1.2GHz. Gain hFE maxi: 210. Gain hFE mini: 70. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 3V...

6.81€
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2N5210

2N5210

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Conditionnement: -. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 30 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 50V. Vebo: 4.5V...

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2N5551BU

2N5551BU

Transistor NPN 2N5551BU, TO-92, 600mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5551. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V...

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2N5886

2N5886

Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 500pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 50A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5884. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

8.10€
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2N5886G

2N5886G

Transistor NPN 2N5886G, TO-3, 25mA. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Marquage du fabricant: 2N5886G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

18.94€
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2N6284

2N6284

Transistor NPN 2N6284, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 400pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 160W. FT: kHz. Fonction: hFE 750...180000. Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 40A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Poids: 11.8g. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6287. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

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2N6488

2N6488

Transistor NPN 2N6488, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 5 MHz. Fonction: Applications d'amplification et de commutation. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6491. Température de fonctionnement: -65...+165°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 90V. Vebo: 5V...

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2N6488-HTC

2N6488-HTC

Transistor NPN 2N6488-HTC, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 90V. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 5 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6491. Type de transistor: NPN...

1.29€
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2N6488G

2N6488G

Transistor NPN 2N6488G, TO-220, 15mA. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.075W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5 MHz. Marquage du fabricant: 2N6488G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

1.47€
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2N6517

2N6517

Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Fonction: -. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6520. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Vebo: 6V...

0.22€
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2SC1098

2SC1098

Transistor NPN 2SC1098, TO-202, 3A. Boîtier: TO-202. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V/45V...

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