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MMBT3904LT1G

Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. C (out): 1.6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: UNI. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage du fabricant: 1AM. Marquage sur le boîtier: 1AM. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1AM. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V...

0.0394€

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Quantité en stock: 241

Minimum: 10

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MMBT5401

Transistor NPN MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. C (out): 6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Equivalences: MMBT5401LT1G. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 50. Marquage du fabricant: 2L. Marquage sur le boîtier: 2 L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS (2Lx Date Code). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 150V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

0.0517€

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Quantité en stock: 1924

Minimum: 10

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MPSA06

Transistor NPN MPSA06, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 300pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100MHz. Fonction: -. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 10. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 4 v...

0.0932€

Quantité en stock: 925

Minimum: 10

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TIP122

Transistor NPN TIP122, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. C (out): 60pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. FT: kHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: 7k Ohms (R1), 70 Ohms (R2). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Marquage du fabricant: TIP122. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.64€

+3425 rapidement
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TIP122G

Transistor NPN TIP122G, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 5A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 65W. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. FT: kHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE min.: 1000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: TIP122G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127G. Série: TIP122G. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

1.00€

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TIP132

Transistor NPN TIP132, TO-220, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. C (out): 4pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 8A. Courant maximum 1: 8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 70W. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 15000. Gain hFE min.: 500. Gain hFE mini: 1000. Id(imp): 12A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: TIP132. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 70W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP137. Série: TIP132. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.95€

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TIP142

Transistor NPN TIP142, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. C (out): 60pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 10A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE min.: 500. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: TIP142. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 125W. RoHS: oui. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147. Série: TIP142. Technologie: Darlington monolithique. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

2.46€

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TIP3055

Transistor NPN TIP3055, 100V, TO-247, 15A, 15A, TO-247, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 15A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 90W. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: TIP2955. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) TIP2955. RoHS: oui. Spec info: Faible tension de saturation collecteur-émetteur. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 70V. Vebo: 7V...

1.31€

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TIP35C

Transistor NPN TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Courant de collecteur: 25A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. C (out): 35pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Date de production: 1450. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 3MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50A. Marquage du fabricant: TIP33C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP36C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V...

2.38€

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