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BAS19GEG

BAS19GEG

Diode BAS19GEG, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 120V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

0.0444€
Quantité en stock: 100
Minimum: 10
BAS20

BAS20

Diode BAS20, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 6ns, 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1.25V. Tension inverse maxi: 200V. Type d'élément semi-conducteur: diode...

0.0752€
+3333 rapidement
Quantité en stock: 500
Minimum: 10
BAS21

BAS21

Diode BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. IF(AV): 200mA. IFSM: 625mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Fonction: Diode de commutation haute tension. IRM (max): 100uA. IRM (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: JS. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS JS. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

0.0380€
+12580 rapidement
Quantité en stock: 1952
Minimum: 10
BAS21-215

BAS21-215

Diode BAS21-215, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 250V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

0.48€
Quantité en stock: 150
BAS21E6327

BAS21E6327

Diode BAS21E6327, SOT-23, TO-236AB, 0.25A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.25A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..100uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1.25V @ 200mA...

0.12€
Quantité en stock: 5896
Minimum: 10
BAS28

BAS28

Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V. Boîtier: SOT-143. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 215mA. If [A]: 0.215A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..50uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Commutation à haute vitesse. Ifsm [A]: 4A. Marquage sur le boîtier: JTp. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Structure diélectrique: Indépendant. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 85V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

0.0346€
+298 rapidement
Quantité en stock: 2558
Minimum: 10
BAS316

BAS316

Diode BAS316, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 1A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Date de production: 2014/22. Fonction: Diode haute vitesse. Marquage sur le boîtier: A6. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

0.0347€
+8990 rapidement
Quantité en stock: 514
Minimum: 10
BAS34

BAS34

Diode BAS34, 0.2A, 2A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 70V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Fonction: -. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 1nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V...

0.0807€
Quantité en stock: 9761
Minimum: 10
BAS385

BAS385

Diode BAS385, MICROMELF, 0.2A. Boîtier: MICROMELF. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2.3uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 5A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.4V @ 10mA...

0.30€
Quantité en stock: 363
BAS40

BAS40

Diode BAS40, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 43. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

0.0323€
+2670 rapidement
Quantité en stock: 1682
Minimum: 10
BAS40-02

BAS40-02

Diode BAS40-02, 120mA, 0.6A, SOD-523, SOD-523, 40V. IF(AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOD-523. Boîtier (selon fiche technique): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: .W. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

0.0563€
Quantité en stock: 2618
Minimum: 10
BAS40-04

BAS40-04

Diode BAS40-04, SOT-23 ( TO-236 ), 0.2A, 0.12A, 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.2A. If [A]: 0.12A. IFSM: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Ifsm [A]: 0.2A. Marquage sur le boîtier: 44. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.5V @ 10mA...

0.0389€
+21121 rapidement
Quantité en stock: 2597
Minimum: 10
BAS40-05

BAS40-05

Diode BAS40-05, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 45. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

0.0412€
+40750 rapidement
Quantité en stock: 2652
Minimum: 10
BAS40-06

BAS40-06

Diode BAS40-06, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 46. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: anode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

0.0375€
+2675 rapidement
Quantité en stock: 2701
Minimum: 10