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B540C-13-F

B540C-13-F

Diode B540C-13-F, SMC, DO-214AB, 5A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 5A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..10mA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 100A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.55V @ 5A...

0.74€
Quantité en stock: 1513
B560C-13-F

B560C-13-F

Diode B560C-13-F, SMC, DO-214AB, 5A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 5A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..10mA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 100A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 5A...

0.82€
Quantité en stock: 2483
BAQ333-TR

BAQ333-TR

Diode BAQ333-TR, MICROMELF, 0.2A. Boîtier: MICROMELF. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5nA..1nA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 100mA...

1.20€
Quantité en stock: 2502
BAR43AFILM

BAR43AFILM

Diode BAR43AFILM, SOT-23, 0.1A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA..100uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.75A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.45V @ 15mA...

0.29€
Quantité en stock: 3367
BAR43C

BAR43C

Diode BAR43C, SOT-23, 0.1A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 750mA, 0.75A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA..100uA. Courant: 200mA, 0.1A, 0.2A. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.75A. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Puissance: 290mW. RoHS: oui. Temps de réaction: 5ns. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension inverse maxi: 30V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.45V @ 15mA...

0.18€
+200 rapidement
Quantité en stock: 20232
BAS16-215

BAS16-215

Diode BAS16-215, SOT-23, 0.215A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.215A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

0.11€
Quantité en stock: 11762
Minimum: 10
BAS16GEG

BAS16GEG

Diode BAS16GEG, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 4A. Courant: 100mA. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns, 6ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V, 1.25V. Tension inverse maxi: 100V, 75V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

0.0376€
Quantité en stock: 25
Minimum: 10
BAS16J

BAS16J

Diode BAS16J, SOD-323F, 0.25A. Boîtier: SOD-323F. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.25A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 50mA...

0.0888€
Quantité en stock: 5067
Minimum: 10
BAS16LT-1

BAS16LT-1

Diode BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Fonction: diode de commutation. IRM (max): 50uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: A6s. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS A6s, A6t. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV. Trr Diode (Min.): 6 ns...

0.0309€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 2396
Minimum: 10
BAS16LT1G

BAS16LT1G

Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. If [A]: 0.2A. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite inverse: 1uA / 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..30uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 36A. Information: -. MSL: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Série: BAS. Temps de récupération inverse (max): 6ns. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Tension de seuil maxi: 1.25V / 0.15A. Type de diode: Switching. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 6 ns. [V]: 0.855V @ 50mA...

0.18€
Quantité en stock: 15200