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1N4448

Diode 1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 0.15A. Boîtier (norme JEDEC): -. IFSM: 0.45A. If [A]: 0.3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Ifsm [A]: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.7V @ 5mA...

5TUZ47

Diode 5TUZ47, 5A, 1500V. IF(AV): 5A. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: trr 0.6us...

60APU02-N3

Diode 60APU02-N3, 60A, 800A, TO-247, TO-247AC 3L, 200V. IF(AV): 60A. IFSM: 800A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Cj: 87pF. Equivalences: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: 60APU02. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.08V. Tension de seuil Vf (min): 0.98V. Trr Diode (Min.): 28 ns...

60EPS16

Diode 60EPS16...

62169213020

Diode 62169213020, 1.2A, 400V. IF(AV): 1.2A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SAMSUNG...

6A100G-R0G

Diode 6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 250A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Equivalences: 6A100G-R0G. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A10. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 2500 ns...

6A60

Diode 6A60...

70HF160

Diode 70HF160, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1600V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1600V. Conditionnement: -. IRM (max): 4.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Unité de conditionnement: 100dB. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

70HF80

Diode 70HF80, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Conditionnement: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: Fixation filetée. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Unité de conditionnement: 100dB...

70HFLR-100-S-05

70HFR140

Diode 70HFR140, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 70A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 70A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 4.5mA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 1200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.4 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.46V @ 220A...

70HFR160

Diode 70HFR160, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1600V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1600V. Conditionnement: -. IRM (max): 4.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Unité de conditionnement: 100dB. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

70HFR80

Diode 70HFR80, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Conditionnement: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Unité de conditionnement: 100dB. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

1N4935

Diode 1N4935, 1A, 30A, DO-41, DO41, 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Fonction: Commutation rapide pour un rendement élevé. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Spec info: 30App/8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

1N4937

1N5062

Diode 1N5062, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm, 800V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. VRRM: 800V. Fonction: Silicon Rectifier. IRM (max): uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N5309

Diode 1N5309, 3.3mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 100V. IF(AV): 3.3mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Fonction: Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode tunnel...

80EBU04

Diode 80EBU04, 80A, 800A, POWERTAB, 400V. IF(AV): 80A. IFSM: 800A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 50pF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.92V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

80SQ05

85HFR120

Diode 85HFR120, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 85A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 85A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 9mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 1700A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 5A...

85HFR80

Diode 85HFR80, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 85A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 85A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 9mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 1700A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 800V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 267A...

893-399016AB

Diode 893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AP. VRRM: 50V. Cj: 15pF. Fonction: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. IRM (max): 5uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: RG2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SAMSUNG. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

8EWS08ST

Diode 8EWS08ST...

8TQ100PBF

Diode 8TQ100PBF, TO-220AC, TO-220AC, 8A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 8A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.55mA..7mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 850A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.72V @ 8A...