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ES3D

Diode ES3D, SMC, DO-214AB, 3A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..500uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 115A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 25 ns. [V]: 0.9V @ 3A...

F1200D

FX2000B

HFA08TB60PBF

HFA15TB60PBF

HFA16TB120PBF

HP5082-2800

Diode HP5082-2800, DO-35, 0.015A. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.015A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2uA. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Ifsm [A]: -. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: +200°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.41V @ 1mA...

HSMS-2810-TR1G

Diode HSMS-2810-TR1G, SOT-23, 0.005A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.005A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 200nA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 20V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.41V @ 1mA...

IRKD56-12A

Diode IRKD56-12A, Add-A-PAK, 60A. Boîtier: Add-A-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 60A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 1600A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.51V @ 60A...

LL4007GL0

Diode LL4007GL0, MELF, DO-213AB, 1A. Boîtier: MELF. Boîtier (norme JEDEC): DO-213AB. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..100uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 30A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

LL46-GS08

Diode LL46-GS08, miniMELF, SOD-80, 0.15A. Boîtier: miniMELF. Boîtier (norme JEDEC): SOD-80. If [A]: 0.15A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA..20uA. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Ifsm [A]: 0.75A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 250mA...

LS4148

Diode LS4148, SOD80, 0.15A. Boîtier: SOD80. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.15A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 50mA...

M4

Diode M4, SMA, DO-214AC, 1A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 30A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

M7

Diode M7, SMA, DO-214AC, 1A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 30A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

MBR0540

Diode MBR0540, SOD-123, 0.5A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.5A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA..5mA. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Ifsm [A]: 5.5A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.51V @ 500mA...

MBR0540T3G

Diode MBR0540T3G, SOD-123, 0.5A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.5A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA..5mA. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Ifsm [A]: 5.5A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.51V @ 500mA...

MBR10100G

Diode MBR10100G, TO-220AC, TO-220AC, 10A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 10A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100uA..6mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 10A...

MBR1060G

Diode MBR1060G, TO-220AC, TO-220AC, 10A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 10A. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 150A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100uA..22mA. Courant: 20A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 850mV. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Tension de seuil: 850mV. Tension inverse maxi: 60V. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 10A. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.14...1.39mm...

MBR1100RLG

Diode MBR1100RLG, DO-41, DO-204AL, 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. If [A]: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 500uA..5mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 50A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.79V @ 1A...

MBR140SFT1G

Diode MBR140SFT1G, SOD-123, 1A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5..25mA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 30A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.55V @ 1A...

MBR1545CT-E3-48

Diode MBR1545CT-E3-48, TO-220AB, TO-220AB, 2x7.5A. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. If [A]: 2x7.5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100uA..15mA. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 45V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.57V @ 7.5A...

MBR1545CTG

Diode MBR1545CTG, TO-220AB, TO-220AB, 2x7.5A. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. If [A]: 2x7.5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1mA..15mA. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 45V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.57V @ 7.5A...

MBR1645-E3-45

Diode MBR1645-E3-45, TO-220AC, TO-220AC, 16A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 16A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 200uA..40mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 45V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.63V @ 16A...

MBR1645G

Diode MBR1645G, TO-220AC, TO-220AC, 16A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 16A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2mA..40mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 45V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.63V @ 16A...