Diode MBR1060G, TO-220AC, TO-220AC, 10A

Diode MBR1060G, TO-220AC, TO-220AC, 10A

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Diode MBR1060G, TO-220AC, TO-220AC, 10A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 10A. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 150A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100uA..22mA. Courant: 20A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 850mV. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Tension de seuil: 850mV. Tension inverse maxi: 60V. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 10A. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.14...1.39mm. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
MBR1060G
24 paramètres
Boîtier
TO-220AC
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220AC
If [A]
10A
Conditionnement
tubus
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
150A
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
100uA..22mA
Courant
20A
Famille de composants
diode de redressement Schottky
Ifsm [A]
150A
Montage/installation
THT
Nombre de bornes
2
RoHS
oui
Structure semi-conductrice
diode
Température maxi
+175°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
850mV
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
60V
Tension de seuil
850mV
Tension inverse maxi
60V
Type de conditionnement
tubus
Type de diode
diode de redressement Schottky
[V]
0.7V @ 10A
Épaisseur du dissipateur thermique
1.14...1.39mm
Produit d'origine constructeur
Onsemi