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19TQ015

Diode 19TQ015, 19A, TO-220, TO-220AB, 15V. IF(AV): 19A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 15V. Diode Schottky?: Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 700App/5us, 330App/10ms. Température de fonctionnement: -55...+175°C...

1N4002

1N4003

Diode 1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 200V. Type de diode: diode de redressement...

1N4004

Diode 1N4004, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( DO-204AL ), 400V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 400V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

1N4005

Diode 1N4005, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N4007

Diode 1N4007, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 1000V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 30Ap/8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 1kV, 1000V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

1N4148

1N4148W

1N4148WS

1N4149

Diode 1N4149, 500mA, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 100V. IF(AV): 500mA. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

3JU41

Diode 3JU41, 3A, DO-201, DO-201AD 8x6mm, 600V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 200 ns. IRM (max): 100uA. Marquage sur le boîtier: 3JU. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): -. Trr Diode (Min.): 100 ns...

1N4150

Diode 1N4150, 0.3A, 4A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V. IF(AV): 0.3A. IFSM: 4A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 50V. Fonction: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Température de fonctionnement: -50...+200°C...

40EPS16PBF

Diode 40EPS16PBF, TO-247AC, 40A. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 40A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1mA..1mA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 475A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 40A...

40HF10

Diode 40HF10, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB ( DO-5 ), 100V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode...

40HF120

Diode 40HF120, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

40HF160

Diode 40HF160, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1600V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1600V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 4.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: Fixation filetée. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+160°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

40HF40

Diode 40HF40, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 400V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 400V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

40HF60

Diode 40HF60, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 600V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 600V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

40HF80

Diode 40HF80, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

40HFR10

Diode 40HFR10, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 40A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 40A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 15mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 570A. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: +190°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.3V @ 125A...

40HFR120

Diode 40HFR120, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: Fixation filetée. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

40HFR40

Diode 40HFR40, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 400V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 400V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: Fixation filetée. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

40HFR80

Diode 40HFR80, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

1N4151

Diode 1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 75V. Courant d'impulsion max.: 2A. Courant: 0.5A. Fonction: diode de commutation ultra-rapide, Ifsm 1us 2A. IRM (max): 50nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension inverse maxi: 75V. Trr Diode (Min.): 2 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de commutation...