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MMBD4148

Diode MMBD4148, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.2A, SOT-23-3, 100V. IF(AV): 0.2A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. VRRM: 100V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphie/code CMS A6. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

MMBD4148CA

Diode MMBD4148CA, 200mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 100V. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Fonction: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Marquage sur le boîtier: D6. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS D6. RoHS: oui. Structure diélectrique: anode commune. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

MMBD4148CC

Diode MMBD4148CC, SOT-23, TO-236AB, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

MMBD4148SE

Diode MMBD4148SE, SOT-23, TO-236AB, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

MMDL914T1G

Diode MMDL914T1G, SOD323. Boîtier: SOD323. Capacité: 4pF. Courant d'impulsion max.: 2A. Courant: 500mA. Montage/installation: SMD. Puissance: 350mW. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 100V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

MMSD4148T1G

Diode MMSD4148T1G, SOD123. Boîtier: SOD123. Capacité: 4pF. Courant d'impulsion max.: 1A. Courant: 500mA. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. Puissance: 425mW. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns. Tension inverse maxi: 100V. Type de diode: diode de commutation...

MR828

Diode MR828, 5A, 300A, 800V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diamètre 8mm x 7.5mm. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 300 ns...

MRA4007T3G

Diode MRA4007T3G, SMA, 1A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA..50uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 30A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

MUR10120E

Diode MUR10120E, 10A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: IFSM 100Aps...

MUR1020D

Diode MUR1020D...

MUR1060

Diode MUR1060...

MUR1100E

Diode MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Conditionnement: -. Equivalences: MUR1100ERLG. Fonction: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Unité de conditionnement: 1000...

MUR120

Diode MUR120, 1A, 35A, DO-41, CASE 59-10 (7.3x3.4mm), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. IRM (max): 5uA. IRM (min): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--35App. Température de fonctionnement: -65...+175°C...

MUR120RLG

MUR15120L

Diode MUR15120L, 15A, 110A, TO-220, TO-220AC-2, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Fonction: diode de récupération ultra-rapide. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode ultra-rapide. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.9V. Trr Diode (Min.): 60 ns...

MUR1520G

MUR1560

Diode MUR1560, 15A, 150A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Fonction: Ultrafast. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Température de fonctionnement: -65...+175°C...

MUR1560G

Diode MUR1560G, TO220AC, TO220. Boîtier: TO220AC, TO220. Conditionnement: tubus. Courant: 15A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tension inverse maxi: 600V. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.14...1.39mm...

MUR160

Diode MUR160, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( 5.0x2.7mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--35App. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

MUR160RLG

Diode MUR160RLG, DO41. Boîtier: DO41. Conditionnement: -. Courant: 1A. Montage/installation: THT. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1.25V. Tension inverse maxi: 600V. Type de conditionnement: -. Type de diode: diode de redressement...

MUR1620CT

Diode MUR1620CT, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 200V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Courant d'impulsion max.: 100A. Courant: 16A. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. Tension inverse maxi: 200V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.15...1.39mm...

MUR1620CTR

Diode MUR1620CTR, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 200V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Courant d'impulsion max.: 100A. Courant: 16A. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Structure diélectrique: anode commune. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension inverse maxi: 200V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.15...1.39mm...

MUR1660CD

Diode MUR1660CD...

MUR1660CT

Diode MUR1660CT, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: cathode commune. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 60 ns...