Diode MUR1620CTR, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 200V

Diode MUR1620CTR, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 200V

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Diode MUR1620CTR, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 200V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Courant d'impulsion max.: 100A. Courant: 16A. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Structure diélectrique: anode commune. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension inverse maxi: 200V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.15...1.39mm. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
MUR1620CTR
26 paramètres
Boîtier
TO-220
IF(AV)
8A
IFSM
100A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AC
VRRM
200V
Courant d'impulsion max.
100A
Courant
16A
Fonction
Ultrafast SMPS
IRM (max)
500uA
IRM (min)
5uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
Ifsm 100Ap
Structure diélectrique
anode commune
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1.2V
Tension de seuil Vf (min)
1.1V
Tension inverse maxi
200V
Trr Diode (Min.)
35 ns
Type de conditionnement
tubus
Type de diode
diode de redressement
Épaisseur du dissipateur thermique
1.15...1.39mm
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor