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BYY32

Diode BYY32, 1A, 300V. IF(AV): 1A. VRRM: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI...

0.0881€

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Minimum: 5

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EG1Z-V1

Diode EG1Z-V1, 0.8A, 200V. IF(AV): 0.8A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SONY 871904678...

3.50€

Quantité en stock: 1

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ERA22-08

Diode ERA22-08, 0.5A, 800V. IF(AV): 0.5A. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium...

1.24€

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ERB29-04

Diode ERB29-04, 400V. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: B29-04.79...

1.21€

Quantité en stock: 63

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ERC90-02

Diode ERC90-02, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S...

8.49€

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ERD09-15

Diode ERD09-15, 3A, 1500V. IF(AV): 3A. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: D09.15...

9.48€

Quantité en stock: 4

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F114F

Diode F114F, 0.8A, 600V. IF(AV): 0.8A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S...

0.37€

Quantité en stock: 6

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FE1D

Diode FE1D, 1A, 200V. IF(AV): 1A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GL...

0.17€

Quantité en stock: 82

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FE3B

Diode FE3B, 3A, 100V. IF(AV): 3A. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 125A/8.3ms...

0.27€

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FE3C

Diode FE3C, 3A, 150V. IF(AV): 3A. VRRM: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 125A/8.3ms...

0.20€

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FFPF05U120S

Diode FFPF05U120S, 5A, 1200V. IF(AV): 5A. VRRM: 1200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ifsm--30App...

1.75€

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FMLG12S

Diode FMLG12S, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: -RECTIFIER...

2.33€

Quantité en stock: 63

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GI824

Diode GI824, 5A, 400V. IF(AV): 5A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium...

3.69€

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KY195

Diode KY195, 6A, 800V. IF(AV): 6A. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M4...

3.39€

Quantité en stock: 50

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M100J

Diode M100J, 1A, 600V. IF(AV): 1A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SAMSUNG...

0.70€

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MA157A

Diode MA157A, 0.1A, 80V. IF(AV): 0.1A. VRRM: 80V. Double: double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: double diode au silicium...

0.70€

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MR828

Diode MR828, 5A, 300A, 800V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diamètre 8mm x 7.5mm. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 300 ns...

0.42€

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RGP20B

Diode RGP20B, 2A, 100V. IF(AV): 2A. VRRM: 100V. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms...

0.49€

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RGP20D

Diode RGP20D, 2A, 200V. IF(AV): 2A. VRRM: 200V. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms...

0.55€

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RGP30G

Diode RGP30G, 3A, 400V. IF(AV): 3A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S...

1.00€

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S2L20U

Diode S2L20U, 1.5A, 200V. IF(AV): 1.5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium...

3.25€

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TVR06J

Diode TVR06J, 0.6A, 600V. IF(AV): 0.6A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium...

0.0843€

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YG911S2

Diode YG911S2, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 50Ap / 10ms...

3.79€

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1N4448GEG

Diode 1N4448GEG, DO35. Boîtier: DO35. Courant d'impulsion max.: 4A. Courant: 0.5A, 150mA. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 100V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de commutation...

0.24€

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