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62169213020

Diode 62169213020, 1.2A, 400V. IF(AV): 1.2A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SAMSUNG...

5TUZ47

Diode 5TUZ47, 5A, 1500V. IF(AV): 5A. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: trr 0.6us...

FEP16DT

Diode FEP16DT, TO220AB. Boîtier: TO220AB. Conditionnement: tubus. Courant d'impulsion max.: 200A. Courant: 16A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. RoHS: oui. Temps de réaction: 35ns. Tension de conduction (tension de seuil): 0.95V. Tension de seuil: 0.95V. Tension inverse maxi: 200V. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.14...1.39mm...

MBRD1045T4G

Diode MBRD1045T4G, D-PAK, TO-252, 10A. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. If [A]: 10A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: -. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 45V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.57V @ 10A...

MCL4448

Diode MCL4448, LS-31 (Quadro-MicroMELF), 0.15A. Boîtier: LS-31 (Quadro-MicroMELF). Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.15A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 50mA...

BY299

HS2M

Diode HS2M...

SB3040PT

Diode SB3040PT, 15A, 275A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 15A. IFSM: 275A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Fonction: double diode Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Total IF(AV) 2ch 30A. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms. Structure diélectrique: Cathode commune...

S34F

Diode S34F...

30CTQ045S

Diode 30CTQ045S, D²-PAK, TO-263, 2x15A. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. If [A]: 2x15A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 50uA..15mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 265A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 45V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.62V @ 15A...

3JU41

Diode 3JU41, 3A, DO-201, DO-201AD 8x6mm, 600V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 200 ns. IRM (max): 100uA. Marquage sur le boîtier: 3JU. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): -. Trr Diode (Min.): 100 ns...

VS-8TQ100-M3

Diode VS-8TQ100-M3, 8A, 850A, TO-220, TO-220-2 (TO-220AC), 100V. IF(AV): 8A. IFSM: 850A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Diode Schottky?: Schottky. Fonction: Diode de redressement Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (min): 0.72V...

GI824

Diode GI824, 5A, 400V. IF(AV): 5A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium...

BYW172D

Diode BYW172D, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 100App/10ms...

HFA08TB60S

Diode HFA08TB60S, 8A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Dissipation de puissance maxi: 36W. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Remarque: Ifsm 60Aps...

G2MF

Diode G2MF...

0DD223609AA

Diode 0DD223609AA...

BAT85S

Diode BAT85S, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 0.2A, 5A, DO-35, 30 v. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Conditionnement: rouleau. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Distance entre connexions (pas): 1.6x3.9mm. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 2uA. Ifsm [A]: 5A. Marquage sur le boîtier: BAT85S. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température maxi: +150°C.. Température: +125°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Trr Diode (Min.): 5 ns. Unité de conditionnement: 10000. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

MBR2560CT-E3-45

Diode MBR2560CT-E3-45, TO-220AB, TO-220AB, 2x12.5A. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. If [A]: 2x12.5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..50mA. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 15A...

SS15U60

Diode SS15U60...

SKL36

Diode SKL36, SOD-123FL, 3A. Boîtier: SOD-123FL. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30uA..18mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 40A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 3A...

FFSH50120A

Diode FFSH50120A, TO-247, 50A, 280A, TO-247-2LD, CASE 340CL, 1200V. Boîtier: TO-247. IF(AV): 50A. IFSM: 280A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Courant: 50A. Diode Schottky?: oui. Fonction: SMPS, onduleur solaire, UPS, circuits de commutation de puissance. IRM (max): 400uA. IRM (min): 200uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--280App. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.45V. Tension inverse maxi: 1.2kV. Trr Diode (Min.): -. Type de diode: diode de redressement Schottky. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

UF3005M

Diode UF3005M, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Fonction: Ultra fast switching. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

RHRP860