Diode FFSH50120A, TO-247, 50A, 280A, TO-247-2LD, CASE 340CL, 1200V

Diode FFSH50120A, TO-247, 50A, 280A, TO-247-2LD, CASE 340CL, 1200V

Quantité
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1-4
37.52€
5-9
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10-14
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Diode FFSH50120A, TO-247, 50A, 280A, TO-247-2LD, CASE 340CL, 1200V. Boîtier: TO-247. IF(AV): 50A. IFSM: 280A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Courant: 50A. Diode Schottky?: oui. Fonction: SMPS, onduleur solaire, UPS, circuits de commutation de puissance. IRM (max): 400uA. IRM (min): 200uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--280App. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.45V. Tension inverse maxi: 1.2kV. Trr Diode (Min.): -. Type de diode: diode de redressement Schottky. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
FFSH50120A
25 paramètres
Boîtier
TO-247
IF(AV)
50A
IFSM
280A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247-2LD, CASE 340CL
VRRM
1200V
Courant
50A
Diode Schottky?
oui
Fonction
SMPS, onduleur solaire, UPS, circuits de commutation de puissance
IRM (max)
400uA
IRM (min)
200uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Ifsm--280App
Structure diélectrique
Anode-cathode
Technologie
Silicon Carbide (SiC) Schottky
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1.75V
Tension de seuil Vf (min)
1.45V
Tension inverse maxi
1.2kV
Type de diode
diode de redressement Schottky
Utilisation
peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor