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RGP15M

Diode RGP15M, DO-204, DO-204AC, 1000V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 50App/8.3ms...

RGP30M

Diode RGP30M, 3A, DO-201, DO-201AD, 1000V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 125App/8.3ms. RoHS: oui...

RH2F

Diode RH2F, 1A, 60A, DO-201, DO-201 ( 4.4x7.5mm ), 1500V. IF(AV): 1A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Fonction: 'damper'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Samsung--CK6813Z/SEH. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 4us...

RH4F

Diode RH4F, 2.5A, 50A, DO-201, DO-201 ( 6.5x8.0mm ), 1500V. IF(AV): 2.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Fonction: 'damper'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Samsung--0402-000266. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 4us...

RHRP15120

Diode RHRP15120, 15A, 200A, TO-220, TO-220AC-2, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Fonction: Hyperfast Diode. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode hyper rapide. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. Trr Diode (Min.): 65 ns...

RHRP1560

RHRP30120

Diode RHRP30120, 30A, 300A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Fonction: Hyperfast with Soft Recovery. Marquage sur le boîtier: RHR30120. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. Trr Diode (Min.): 65 ns...

RHRP8120

Diode RHRP8120, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 1200V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Conditionnement: tubus. Courant d'impulsion max.: 100A. Courant: 16A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. Puissance: 75W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode hyper rapide. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. Tension inverse maxi: 1.2kV. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: max 1.4mm...

RHRP860

RL207

Diode RL207, 2A, 70A, DO-15, DO-15 ( 7.6x3.6mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Fonction: Silicon Rectifier. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

RL4Z

Diode RL4Z, 3.5A, 80A, DO-27, DO-27 ( 5.2x8.0mm ), 200V. IF(AV): 3.5A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Distance entre connexions (pas): 8x6.5mm. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: diode de redressement à récupération ultra-rapide. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

RS2A

Diode RS2A, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 50V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

RS2B

Diode RS2B, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 100V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

RS2D

Diode RS2D, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 200V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

RS2G

Diode RS2G, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 400V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

RS2J

Diode RS2J, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 600V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 250 ns...

RS2K

Diode RS2K, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 800V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

RS2M

Diode RS2M, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

RURG3020CC

RURG3060CC

RURG80100

Diode RURG80100, 80A, 500A, TO-247, TO-247-2, 1000V. IF(AV): 80A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2. VRRM: 1000V. Fonction: diode ultrarapide. IRM (max): 2mA. IRM (min): 250uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 125 ns...

RURP3060

S16C40C

Diode S16C40C, 16A, 150A, TO-220, TO-220AB, 40V. IF(AV): 16A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 40V. Conditionnement: tube en plastique. Diode Schottky?: Schottky. Double: double. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Ifsm 150A/10ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V. Unité de conditionnement: 50...

S1M-FAI

Diode S1M-FAI, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Fonction: diodes de redressement à usage général. Marquage sur le boîtier: 1 M. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier 4.6x2.7mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 1.8us...