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FEP30DP

Diode FEP30DP, 15A, 300A, TO-247, TO-247AD, 200V. IF(AV): 15A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 200V. Cj: 175pF. Fonction: Double diode de redressement ultra-rapide. cathode commune. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Cathode commune. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Trr Diode (Min.): 35 ns...

FEP30JP-E3

Diode FEP30JP-E3, 15A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 145pF. Fonction: Double diode de redressement ultra-rapide. cathode commune. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Cathode commune. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

FFPF06U20S

Diode FFPF06U20S, 6A, 60A, TO-220FP, TO-220F-2L, 200V. IF(AV): 6A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Fonction: Ultrafast with soft recovery. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible tension directe. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 35ms...

FFPF10UP20S

FFPF10UP60S

FFPF60B150DS

Diode FFPF60B150DS, 6A, TO-220FP, TO-220F-3. IF(AV): 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3. Fonction: 'Damper + Modulation Diode'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. RoHS: oui. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Trr Diode (Min.): 90 ns...

FFSH50120A

Diode FFSH50120A, TO-247, 50A, 280A, TO-247-2LD, CASE 340CL, 1200V. Boîtier: TO-247. IF(AV): 50A. IFSM: 280A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Courant: 50A. Diode Schottky?: oui. Fonction: SMPS, onduleur solaire, UPS, circuits de commutation de puissance. IRM (max): 400uA. IRM (min): 200uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--280App. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.45V. Tension inverse maxi: 1.2kV. Trr Diode (Min.): -. Type de diode: diode de redressement Schottky. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

FMB24L

Diode FMB24L, 10A, 60A, TO-220FP, TO-220F, 40V. IF(AV): 10A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 40V. Conditionnement: tube en plastique. Diode Schottky?: Schottky. Double: double. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Ifsm--60A/50Hz. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Unité de conditionnement: 50...

FMGG26S

Diode FMGG26S, 4A, TO-220, TO-220/2, 600V. IF(AV): 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220/2. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2...

FMGG2CS

Diode FMGG2CS, 3A, TO-220, TO-220/2, 1000V. IF(AV): 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220/2. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: SAMSUNG CHASS.KS3A D802...

FMLG02S

Diode FMLG02S, 3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: -RECTIFIER...

FMLM02S

Diode FMLM02S, 2.5A, TO-220FP, TO-220F, 200V. IF(AV): 2.5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: diode de redressement...

FMQ2FUR

Diode FMQ2FUR, 5A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Double: double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: Ifsm--50A...

FR102

Diode FR102, 1A, DO-41, DO-41, 100V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30App/8.3ms...

FR103

Diode FR103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 30App/8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

FR154

Diode FR154, DO-15, DO-15, 400V. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 60App/8.3ms...

FR155

Diode FR155, DO-15, DO-15, 600V. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 60App/8.3ms...

FR157

Diode FR157, 1.5A, 60A, DO-15, DO-15, 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Fonction: commutation rapide. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

FR1J

Diode FR1J, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 250 ns...

FR1M

Diode FR1M, DO-214, DO-214AC ( SMA ), 1000V. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 30App/10ms...

FR207

Diode FR207, 2A, 60A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

FR2J

Diode FR2J, 2A, 50A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 250 ns...

FR2M

Diode FR2M, 2A, 50A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

FR305

Diode FR305, 3A, DO-27, DO-27 ( 9x5.3mm ), 600V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: IFSM--200Ap/8.3mS...