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DSEP60-12A

Diode DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 70A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 30...

DSEP60-12AR

Diode DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: boîtier isolé, sans perçage. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 10...

DSP25-16AR

Diode DSP25-16AR, TO-247, TO-247AD, 1600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1600V. Fonction: Standard Rectifier. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: patte centrale (cathode D1, anode D2, en série). Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.16V...

DTV1500HD

Diode DTV1500HD, 6A, 15A, 80A (tp=10ms), TO-220, TO-220AC, 1500V. IF(AV): 6A. IF(RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1500V. Divers: Diode d'amortissement haute tension. Fonction: CRT Horizontal Deflection. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Tension de seuil Vf (max): 2.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

DTV1500LFP

Diode DTV1500LFP, 15A, TO-220FP, TO-220FPAC, 1500V. IF(AV): 15A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: Diode d'amortissement haute tension...

DTV32F-1500

Diode DTV32F-1500, 5A, 75A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. IF(AV): 5A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 130 ns...

EGP10B

Diode EGP10B, 1A, DO-41, DO-41 ( 2.6x4.9mm ), 100V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30Ap/8.3ms...

EGP20B

Diode EGP20B, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 100V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 75Ap/8.3ms...

EGP20D

Diode EGP20D, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 200V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 75Ap/8.3ms...

EGP20F

Diode EGP20F, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 300V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 75Ap/8.3ms...

EGP20G

Diode EGP20G, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 400V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 75Ap/8.3ms...

EGP50G

Diode EGP50G, 5A, 150A, DO-201, DO-201AD, 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Fonction: Ultra Fast Diode. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: Gl, S. RoHS: oui. Spec info: 150Ap / 8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

EM516

Diode EM516, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2x2.7 ), 1600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 30Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

ER2J

ER3J

Diode ER3J, 3A, 100A, DO-214, SMC / DO214AB, 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. IRM (max): 300uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): -. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Tr: 75 ns...

ES1D

ES1G

Diode ES1G, 1A, DO-214, DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm, 400V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30App/8.3ms, marquage CMS ES1G...

ES1J

Diode ES1J, 1A, DO-214, DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30App/8.3ms, marquage CMS ES1J...

ESAD83-004

Diode ESAD83-004, 30A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Diode Schottky?: Schottky. Double: double. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: Ifsm--250A...

ESCO23M-15

Diode ESCO23M-15, 5A, 80A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 1500V. IF(AV): 5A. IFSM: 80A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. VRRM: 1500V. Fonction: Redresseur à très haute vitesse et à faible perte. Marquage sur le boîtier: CO23M-15 (C023M-15). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: DAMPER +MODULATION. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Trr Diode (Min.): 0.15us...

F06C20C

Diode F06C20C, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 200V. Double: double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: Ifsm--50A/10mS...

F12C20C

Diode F12C20C, 6A, 100A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V. IF(AV): 6A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cj: 55pF. Fonction: Double diode de récupération rapide. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: cathode commune. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms). Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

F1T4

Diode F1T4, 1A, TS-1 ( 2.5x3.3mm ), 400V. IF(AV): 1A. Boîtier (selon fiche technique): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 30Ap/8.3ms...

FEP16JT

Diode FEP16JT, 8A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Double: double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Remarque: Ifsm 125Aps/8.3ms...