Diode DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Diode DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
12.18€
5-9
11.05€
10-14
13.30€
15-29
10.23€
30-59
8.92€
60+
7.96€
Quantité en stock: 27

Diode DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 70A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
DSEP60-12A
24 paramètres
IF(AV)
70A
IFSM
500A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AD
VRRM
1200V
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
190W
Fonction
Diode 'soft recovery'
IRM (max)
2.5mA
IRM (min)
650uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
500Ap t=10ms, TVJ=45°C
Structure diélectrique
Anode-cathode
Technologie
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
2.66V
Tension de seuil Vf (min)
1.74V
Trr Diode (Min.)
40 ns
Unité de conditionnement
30
Produit d'origine constructeur
IXYS