Transistor MMBT4401LT1G

Transistor MMBT4401LT1G. Transistor. C (out): 80pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): 0.9A. Marquage sur le boîtier: 2x. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 30 ns. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: sérigraphie/code CMS 2X. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 20:25.