Transistor IRFR9120N

Transistor IRFR9120N. Transistor. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 12:25.