Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.42€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.36€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.28€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.82€ | 0.98€ |
100 - 249 | 0.80€ | 0.96€ |
250 - 359 | 0.79€ | 0.95€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.42€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.36€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.28€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.82€ | 0.98€ |
100 - 249 | 0.80€ | 0.96€ |
250 - 359 | 0.79€ | 0.95€ |
Transistor canal N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL4105PBF. Transistor canal N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 55V. RoHS: oui. C (in): 660pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 30A. Idss (min): 25uA. IGF: 660pF. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 16:25.
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