Transistor IRFBF20S

Transistor IRFBF20S. Transistor. C (in): 490pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 54W. Résistance passante Rds On: 8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 56 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.