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Transistor IRF710

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Transistor IRF710. Transistor. C (in): 170pF. C (out): 34pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 6A. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 36W. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

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