Diode P1000M, R-6, 10A, 10A, 400A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Boîtier: R-6. IF(AV): 10A. Courant redressé moyen par diode: 10A. IFSM: 400A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration des diodes: indépendant. Courant d'impulsion max.: 400A. Courant de fuite inverse: 25uA / 1000V. Courant de fuite: 10uA. Courant: 80A. IRM (max): -. IRM (min): 10uA. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: P1000M. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: P1000. Temps de réaction: 1.5us. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.05V. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Tension de seuil maxi: <0.9V / 5A. Tension de seuil: 1.05V. Tension inverse maxi: 1kV. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:27