Diode 10A10, R-6, 10A, 400A, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. Boîtier: R-6. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Courant d'impulsion max.: 400A. Courant: 10A. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage du fabricant: 28.7k Ohms. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension inverse maxi: 1kV. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Produit d'origine constructeur: Lge Technology. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:40