Diode MBR10100CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 100V

Diode MBR10100CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.93€
5-24
0.78€
25-49
0.67€
50-99
0.61€
100+
0.51€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 8

Diode MBR10100CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. IRM (max): 0.008mA. IRM (min): 8uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
MBR10100CT
19 paramètres
IF(AV)
10A
IFSM
60.4k Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AC-3P
VRRM
100V
Fonction
Double diode de redressement à barrière Schottky
IRM (max)
0.008mA
IRM (min)
8uA
Matériau semi-conducteur
Sb
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
Ifsm 120A (t=8.3ms)
Structure diélectrique
Cathode commune
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de seuil Vf (max)
0.88V
Tension de seuil Vf (min)
0.78V
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor

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