Diode BY500-800, DO-201, 800V, 5A, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm )

Diode BY500-800, DO-201, 800V, 5A, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm )

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.26€
5-24
0.23€
25-49
0.21€
50-99
0.19€
100+
0.16€
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Diode BY500-800, DO-201, 800V, 5A, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 800V. IF(AV): 5A. Courant redressé moyen par diode: 5A. IFSM: 200A. If [A]: 5A. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 200A. Courant de fuite inverse: <5uA / 800V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Courant: 20A. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. Ifsm [A]: 220A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: BY500. Temps de réaction: 200ns. Temps de récupération inverse (max): 200ns. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.3V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 800V. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Tension de seuil maxi: <1.3V / 5A. Tension inverse maxi: 800V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 200 ns. [V]: 1.3V @ 5A. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15

Documentation technique (PDF)
BY500-800
45 paramètres
Boîtier
DO-201
VRRM
800V
IF(AV)
5A
Courant redressé moyen par diode
5A
IFSM
200A
If [A]
5A
Boîtier (selon fiche technique)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
200A
Courant de fuite inverse
<5uA / 800V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
5uA
Courant
20A
Famille de composants
Diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
diode de redressement rapide au silicium
IRM (max)
10uA
Ifsm [A]
220A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Propriétés des éléments semi-conducteurs
commutation rapide
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Ifsm--200App t=10mS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Série
BY500
Temps de réaction
200ns
Temps de récupération inverse (max)
200ns
Température de fonctionnement
-50...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
1.3V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
800V
Tension de seuil Vf (max)
1.3V
Tension de seuil Vf (min)
1.3V
Tension de seuil maxi
<1.3V / 5A
Tension inverse maxi
800V
Trr Diode (Min.)
200 ns
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de diode
diode de redressement
Type de montage
THT
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
200 ns
[V]
1.3V @ 5A
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor

Produits équivalents et/ou accessoires pour BY500-800