Diode BY500-1000, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V

Diode BY500-1000, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.36€
5-24
0.29€
25-49
0.26€
50-99
0.24€
100+
0.20€
Quantité en stock: 369

Diode BY500-1000, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15

Documentation technique (PDF)
BY500-1000
21 paramètres
IF(AV)
5A
IFSM
200A
Boîtier
DO-201
Boîtier (selon fiche technique)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
VRRM
1000V
Cj
15pF
Fonction
diode de redressement rapide au silicium
IRM (max)
10uA
IRM (min)
5uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Ifsm--200App t=10mS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-50...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1.3V
Tension de seuil Vf (min)
1.3V
Trr Diode (Min.)
200 ns
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor