Diode 6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 250A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Equivalences: 6A100G-R0G. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A10. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Produit d'origine constructeur: Yangzhou Yangjie Electronic. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:24