Diode P600M, R-6, 6A, 6A, 400A, 6A, R-6 ( 9.1x9.1mm ), 1000V

Diode P600M, R-6, 6A, 6A, 400A, 6A, R-6 ( 9.1x9.1mm ), 1000V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.23€
5-49
0.19€
50-99
0.17€
100-199
0.15€
200+
0.13€
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Diode P600M, R-6, 6A, 6A, 400A, 6A, R-6 ( 9.1x9.1mm ), 1000V. Boîtier: R-6. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 6A. Courant redressé moyen par diode: 6A. IFSM: 400A. If [A]: 6A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x9.1mm ). VRRM: 1000V. Cj: 150pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 300A. Courant de fuite inverse: 25uA / 1000V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Courant: 6A. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Ifsm [A]: 450A. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: 6A10. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: P600. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil maxi: <1.0V / 5A. Tension de seuil: 1.1V, 900mV. Tension inverse maxi: 1kV, 1000V. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 5A. Produit d'origine constructeur: Lge Technology. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:27

Documentation technique (PDF)
P600M
45 paramètres
Boîtier
R-6
IF(AV)
6A
Courant redressé moyen par diode
6A
IFSM
400A
If [A]
6A
Boîtier (selon fiche technique)
R-6 ( 9.1x9.1mm )
VRRM
1000V
Cj
150pF
Conditionnement
Ammo Pack
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
300A
Courant de fuite inverse
25uA / 1000V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
10uA
Courant
6A
Famille de composants
Diode de redressement standard
IRM (max)
500uA
IRM (min)
10uA
Ifsm [A]
450A
Marquage sur le boîtier
6A10
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM--400Ap (t=8.3ms)
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Série
P600
Temps de récupération inverse (max)
1500ns
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
1.1V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
1 kV
Tension de seuil Vf (max)
1.1V
Tension de seuil Vf (min)
1.1V
Tension de seuil maxi
<1.0V / 5A
Tension de seuil
1.1V, 900mV
Tension inverse maxi
1kV, 1000V
Trr Diode (Min.)
2500 ns
Type de diode
diode de redressement
Type de montage
THT
[V]
1V @ 5A
Produit d'origine constructeur
Lge Technology