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Transistor BD911

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Transistor BD911. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor de puissance NPN. Résistance BE: 100V. C (in): 15A. C (out): 90W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

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