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BC640-016G

BC640-016G

Transistor PNP BC640-016G, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Marquage du fabricant: BC640-16. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.59€
Quantité en stock: 2016
BC640-16

BC640-16

Transistor PNP BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 150 MHz. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 100...250. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.8/2.75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.18€
+50 rapidement
Quantité en stock: 116
BC640TA

BC640TA

Transistor PNP BC640TA, -100V, TO-92, -1A, TO-226, 80V, 1A. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: -1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence maxi: 50MHz. Marquage du fabricant: BC640. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.8W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: transistor PNP...

0.30€
+1421 rapidement
Quantité en stock: 3590
BC639-16

BC639-16

Transistor NPN BC639-16, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

0.22€
Quantité en stock: 286
BC639-16-CDIL

BC639-16-CDIL

Transistor NPN BC639-16-CDIL, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.18€
Quantité en stock: 164
BC639

BC639

Transistor NPN BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 130 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Fréquence: 200MHz. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 40. Gain hfe: 40...250. Marquage du fabricant: BC639. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.8/2.75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

0.21€
+13052 rapidement
Quantité en stock: 241