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1N5370B

Diode Zéner 1N5370B, DO-201, 5W, DO-201, 56V, 56V, 5W. Boîtier: DO-201. Dissipation de puissance maxi: 5W. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DO-201. Tension Zéner: 56V. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 56V. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 42.6V. Famille de composants: diode zéner, puissance 5W (25°C), 5%, série 1N53. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 35 Ohms @ 20mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Puissance: 5W. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Température maxi: +150°C.. Tolérance: 5%. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode zéner...

1N5372B

Diode Zéner 1N5372B, DO201, 62V. Boîtier: DO201. Tension Zéner: 62V. Conditionnement: Ammo Pack. Montage/installation: THT. Puissance: 5W. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tolérance: 5%. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode zéner...

1N5373B

Diode Zéner 1N5373B, DO-201, 68V, 5W. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 68V. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 51.7V. Famille de composants: diode zéner, puissance 5W (25°C), 5%, série 1N53. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 44 Ohms @ 20mA. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

1N5374B

Diode Zéner 1N5374B, DO-201, 75V, 5W. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 75V. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 56V. Famille de composants: diode zéner, puissance 5W (25°C), 5%, série 1N53. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 45 Ohms @ 20mA. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

1N5375B

Diode Zéner 1N5375B, DO-201, 5W, 82V, DO-201, 82V, 5W. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. Dissipation de puissance maxi: 5W. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 82V. Boîtier (selon fiche technique): DO-201. Tension Zéner: 82V. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 62.2V. Famille de composants: diode zéner, puissance 5W (25°C), 5%, série 1N53. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 65 Ohms @ 15mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Puissance: 5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température maxi: +150°C.. Tolérance: 5%. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode zéner...

1N5378B

Diode Zéner 1N5378B, DO-201, 5W, DO-201, 100V. Boîtier: DO-201. Dissipation de puissance maxi: 5W. Boîtier (selon fiche technique): DO-201. Tension Zéner: 100V. Conditionnement: Ammo Pack. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Nombre de connexions: 2. Puissance: 5W. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tolérance: 5%. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode zéner...

1N5379B

Diode Zéner 1N5379B, 5W, DO-201, DO-201 ( 4.5x7.5mm ), 110V. Dissipation de puissance maxi: 5W. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Tension Zéner: 110V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Tolérance: 5%...

1N5380B

Diode Zéner 1N5380B, DO-201, 5W, DO-201, 120V, 120V, 5W. Boîtier: DO-201. Dissipation de puissance maxi: 5W. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DO-201. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 120V. Tension Zéner: 120V. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 91.2V. Famille de composants: diode zéner, puissance 5W (25°C), 5%, série 1N53. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 170 Ohms @ 10mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Puissance: 5W. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Température maxi: +150°C.. Tolérance: 5%. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode zéner...

1N5381B

Diode Zéner 1N5381B, 5W, DO-201, DO-201, 130V. Dissipation de puissance maxi: 5W. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201. Tension Zéner: 130V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tolérance: 5%...

1N5382B

Diode Zéner 1N5382B, 5W, DO-201, DO-201 ( 4.5x7.5mm ), 140V. Dissipation de puissance maxi: 5W. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Tension Zéner: 140V. Dimensions des connexions: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tolérance: 5%...

1N5383B

Diode Zéner 1N5383B, DO-201, 5W, DO-201, 150V, 150V, 5W. Boîtier: DO-201. Dissipation de puissance maxi: 5W. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DO-201. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 150V. Tension Zéner: 150V. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 114V. Famille de composants: diode zéner, puissance 5W (25°C), 5%, série 1N53. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 330 Ohms @ 8mA. Matériau diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Puissance: 5W. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Température maxi: +150°C.. Tolérance: 5%. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode zéner...

1N5384B

Diode Zéner 1N5384B, DO-201, 5W, DO-201, 160V. Boîtier: DO-201. Dissipation de puissance maxi: 5W. Boîtier (selon fiche technique): DO-201. Tension Zéner: 160V. Conditionnement: Ammo Pack. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Nombre de connexions: 2. Puissance: 5W. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Tolérance: 5%. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode zéner...

1N5386B

Diode Zéner 1N5386B, 5W, DO-201, DO-201, 180V. Dissipation de puissance maxi: 5W. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201. Tension Zéner: 180V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tolérance: 5%...

1N5388B

Diode Zéner 1N5388B, DO-201, 5W, 200V, DO-201AD, 200V, 5W. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. Dissipation de puissance maxi: 5W. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 200V. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Tension Zéner: 200V. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 152V. Famille de composants: diode zéner, puissance 5W (25°C), 5%, série 1N53. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 480 Ohms @ 5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Puissance: 5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température maxi: +150°C.. Tolérance: 5%. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode zéner...

1N5394

Diode 1N5394, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 300V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Cj: 20pF. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N5396

Diode 1N5396, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 500V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N5399

Diode 1N5399, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N5399S

Diode 1N5399S...

1N5401

Diode 1N5401, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5402

1N5404

Diode 1N5404, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 400V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 40pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 180A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Courant de fuite: 5uA. Courant: 30A. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 1.5us. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.2V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.2V. Tension inverse maxi: 400V. Trr Diode (Min.): 5us. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5405

Diode 1N5405, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 500V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5406

Diode 1N5406, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 5us. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5406H

Diode 1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: entraxe 15mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 5us...