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ALF08P20V

ALF08P20V

Transistor canal P ALF08P20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Idss (min): 10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08N20V. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

22.04€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
AO3401A

AO3401A

Transistor canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. : 'enhanced'. C (in): 933pF. C (out): 108pF. Charge: 7nC. Courant de drain: -4A. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: faible charge d'entrée. Id (T=100°C): 3.8A. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.4W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±12V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 21 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V...

0.41€
+100 rapidement
Quantité en stock: 456
AO4407A

AO4407A

Transistor canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2060pF. C (out): 370pF. Charge: 30nC. Courant de drain: -12A, -10A. Dissipation de puissance maxi: 1.7W. Id (T=100°C): 7.4A. Id(imp): 60A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4407A. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0085 Ohms. Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±25V. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V...

0.59€
+10 rapidement
Quantité en stock: 188
AO4427

AO4427

Transistor canal P AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 480pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id (T=100°C): 10.5A. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0094 Ohms. Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V...

0.90€
Quantité en stock: 337