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2SA562

Transistor PNP 2SA562, 0.4A, 30 v. Courant de collecteur: 0.4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 70 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 70...140. Spec info: 2SA562-O. Type de transistor: PNP...

2SA562-Y

Transistor PNP 2SA562-Y, 0.4A, 30 v. Courant de collecteur: 0.4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 70 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 120...240. Spec info: KTA562-Y. Type de transistor: PNP...

2SC4308

Transistor NPN 2SC4308, 0.3A, 30 v. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Fonction: Amplificateur large bande VHF. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

2SD1198

Transistor NPN 2SD1198, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: remplaçant. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

2SD1206

Transistor NPN 2SD1206, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: remplaçant. Type de transistor: NPN...

2SD1468

Transistor NPN 2SD1468, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: NPN...

2SD1627

Transistor NPN 2SD1627, 2A, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. FT: 120 MHz. Fonction: Courant continu élevé, pilotes de relais, contrôle de régulation de tension. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 3000...4000. Spec info: sérigraphie/code CMS DJ. Type de transistor: NPN...

2SD227

Transistor NPN 2SD227, 0.3A, 30 v. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 120 MHz. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

2SD879

Transistor NPN 2SD879, 3A, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

4SEQP680M

Condensateur électrochimique 4SEQP680M, 680uF, 4 v. Capacité: 680uF. Tension continue: 4 v. Configuration: montage vertical. Courant d'impulsion: 1170mA. Diamètre: 10mm. Distance entre connexions (pas): 5mm. Durée de vie: 1000h @ 125°C - 5000h @ 105°C. Impédance: 0.025 Ohms. Longueur: 8mm. Matériau du condensateur: polymère. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. RoHS: oui. Série: SEQP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tolérance: 20 %. Type de condensateur: Faible ESR, électrolytique...

BAR43A

BAS85-GS08

BAT42

BAT43

BAT54

BAT54C

BC308A

Transistor PNP BC308A, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 130 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

BC549B

Transistor NPN BC549B, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 300 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

BCW33

Transistor NPN BCW33, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. FT: 300 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: >420. Type de transistor: NPN...

BF479

Transistor PNP BF479, 50mA, 30 v. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

BF479S

Transistor PNP BF479S, 50mA, 30 v. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: VHF/UHF-V. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

BFT98

Transistor NPN BFT98, 0.2A, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Fonction: UHF-A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

DSZ-8-470-0-5-V

Inductance DSZ-8-470-0-5-V...

DSZ-8-6-8-3-0-V

Inductance DSZ-8-6-8-3-0-V, 6.8uH. Inductance: 6.8uH. Courant maxi: 3A. Dimensions: 8x10mm. Distance entre connexions (pas): 5mm. Implantation: montage vertical. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. RoHS: oui. Résistance: 0.018 Ohms. Série: DSZ8...